ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - آرایه ها

خانه
ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - آرایه ها

Infineon Technologies

IRF7506TR

بخش سهام: 2648

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7328PBF

بخش سهام: 58156

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7756GTRPBF

بخش سهام: 2800

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 900mV @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7104PBF

بخش سهام: 100274

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7328TR

بخش سهام: 2700

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7304PBF

بخش سهام: 67896

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 700mV @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7530TR

بخش سهام: 2684

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7755

بخش سهام: 2693

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 51 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7350TRPBF

بخش سهام: 3331

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.1A, 1.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 210 mOhm @ 2.1A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7306QTRPBF

بخش سهام: 2778

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7324PBF

بخش سهام: 40730

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 9A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7313QTRPBF

بخش سهام: 2771

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7103Q

بخش سهام: 2957

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7751GTRPBF

بخش سهام: 2740

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF5810TR

بخش سهام: 2641

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF8852TRPBF

بخش سهام: 2855

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 11.3 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.35V @ 25µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF5850

بخش سهام: 2724

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 135 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

IPG20N06S4L26AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N06S4L26AATMA1

بخش سهام: 186995

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 26 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 10µA,

لیست علاقه مندیها

IPG20N10S4L35ATMA1

Infineon Technologies

IPG20N10S4L35ATMA1

بخش سهام: 169062

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.1V @ 16µA,

لیست علاقه مندیها

IPG16N10S461AATMA1

Infineon Technologies

IPG16N10S461AATMA1

بخش سهام: 195163

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 16A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 61 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3.5V @ 9µA,

لیست علاقه مندیها

IPG20N04S4L08ATMA1

Infineon Technologies

IPG20N04S4L08ATMA1

بخش سهام: 128418

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 22µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7351TRPBF

بخش سهام: 111531

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 17.8 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 50µA,

لیست علاقه مندیها

IPG20N06S2L35AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N06S2L35AATMA1

بخش سهام: 128569

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2V @ 27µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF9953TRPBF

بخش سهام: 182561

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

IPG20N04S412AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N04S412AATMA1

بخش سهام: 165975

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 15µA,

لیست علاقه مندیها

IPG20N10S4L22ATMA1

Infineon Technologies

IPG20N10S4L22ATMA1

بخش سهام: 113849

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 22 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.1V @ 25µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7329TRPBF

بخش سهام: 126207

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9.2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 17 mOhm @ 9.2A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 900mV @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF9389TRPBF

بخش سهام: 156541

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.8A, 4.6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 27 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.3V @ 10µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7306TR

بخش سهام: 84818

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF9395MTRPBF

بخش سهام: 53923

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 14A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 50µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF9910TRPBF

بخش سهام: 144138

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A, 12A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9.3 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.55V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

IPG20N04S4L07AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N04S4L07AATMA1

بخش سهام: 101318

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 30µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7905TRPBF

بخش سهام: 187870

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.8A, 8.9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 21.8 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.25V @ 25µA,

لیست علاقه مندیها

IPG20N06S2L50AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N06S2L50AATMA1

بخش سهام: 140292

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2V @ 19µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF9358TRPBF

بخش سهام: 160762

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9.2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 16.3 mOhm @ 9.2A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 25µA,

لیست علاقه مندیها

IPG16N10S461ATMA1

Infineon Technologies

IPG16N10S461ATMA1

بخش سهام: 100256

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 16A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 61 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3.5V @ 9µA,

لیست علاقه مندیها

384

«
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
»