ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - آرایه ها | محصولات نیمه هادی گسسته | 11

2N7002DW L6327

بخش سهام: 2853

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 300mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

2N7002DWH6327XTSA1

بخش سهام: 174403

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 300mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

94-3449

بخش سهام: 2628

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

AUIRF7103Q

بخش سهام: 3052

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

AUIRF7309QTR

بخش سهام: 108112

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4A, 3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

AUIRF7343QTR

بخش سهام: 94872

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.7A, 3.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

AUIRF7303QTR

بخش سهام: 101171

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 2.7A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 100µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

AUIRF9952Q

بخش سهام: 2919

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.5A, 2.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

AUIRF7379Q

بخش سهام: 2916

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.8A, 4.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

AUIRF7342Q

بخش سهام: 3348

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

AUIRF7341Q

بخش سهام: 2859

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.1A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

AUIRF7319Q

بخش سهام: 2903

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.5A, 4.9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

AUIRF7313Q

بخش سهام: 2913

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 29 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

AUIRF7316Q

بخش سهام: 5424

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

AUIRF7304Q

بخش سهام: 2891

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

AUIRF7309Q

بخش سهام: 2875

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4A, 3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

AUIRF7303Q

بخش سهام: 2880

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 2.7A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 100µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

AUIRF7343Q

بخش سهام: 2791

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.7A, 3.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

AUIRFN8459TR

بخش سهام: 64112

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.9 mOhm @ 40A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3.9V @ 50µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

AUIRFN8458TR

بخش سهام: 79588

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 43A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3.9V @ 25µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

AUIRF7341QTR

بخش سهام: 89718

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.1A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

AUIRF7319QTR

بخش سهام: 89679

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.5A, 4.9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

AUIRF7316QTR

بخش سهام: 89739

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

AUIRF7342QTR

بخش سهام: 91383

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

AUIRF7313QTR

بخش سهام: 94924

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 29 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

AUIRF7304QTR

بخش سهام: 101244

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

AUIRF7379QTR

بخش سهام: 101249

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.8A, 4.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

AUIRF7103QTR

بخش سهام: 121994

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

AUIRF9952QTR

بخش سهام: 125213

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.5A, 2.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BSL308CH6327XTSA1

بخش سهام: 146163

نوع FET: N and P-Channel Complementary, ویژگی FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.3A, 2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2V @ 11µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BSC0911NDATMA1

بخش سهام: 94888

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ویژگی FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 18A, 30A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BSO615NGHUMA1

بخش سهام: 20316

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2V @ 20µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BSO330N02KGFUMA1

بخش سهام: 3005

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 20µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BTS7904SAKSA1

بخش سهام: 2985

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 40A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 40µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BSO4804HUMA2

بخش سهام: 2904

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2V @ 30µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BSL806NL6327HTSA1

بخش سهام: 2870

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 750mV @ 11µA,

لیست علاقه مندیها