نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 38 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,
نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 9A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 4.6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2V @ 250µA,
نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.1A, 1.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 210 mOhm @ 2.1A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 250µA,
نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.6A, 5.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 29 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 700mV @ 250µA,
نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.3A, 3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 34 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 15A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 10µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 25A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.4 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.1V @ 35µA,
نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 700mV @ 250µA,
نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.8A, 4.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.55V @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 195 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 10µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, 11A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 15.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.35V @ 25µA,
نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 58 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 700mV @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9.1A, 11A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 16.4 mOhm @ 9.1A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.35V @ 25µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A, 12A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.55V @ 250µA,
نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 900mV @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,
نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.5A, 2.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,
نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.5A, 2.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 29 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 700mV @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 16A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.2 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.1V @ 35µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 15A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.35V @ 25µA,
نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 25µA,
نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,
نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 250µA,
نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 13A, 28A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8.6 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.35V @ 25µA,
نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 135 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 15 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2V @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8.9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 80V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 73 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 700mV @ 250µA,
