ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - آرایه ها | محصولات نیمه هادی گسسته | 11

IRF7328TRPBF

بخش سهام: 121945

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7380QTRPBF

بخش سهام: 2971

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 80V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 73 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7341QTRPBF

بخش سهام: 2975

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.1A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF5810TRPBF

بخش سهام: 3074

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7904PBF

بخش سهام: 75561

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.6A, 11A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 16.2 mOhm @ 7.6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.25V @ 25µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7343TRPBF

بخش سهام: 191306

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.7A, 3.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRL6372TRPBF

بخش سهام: 136919

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8.1A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.1V @ 10µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

DF11MR12W1M1B11BOMA1

بخش سهام: 229

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Silicon Carbide (SiC), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 1200V (1.2kV), جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 23 mOhm @ 50A, 15V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 5.5V @ 20mA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF9952TRPBF

بخش سهام: 110076

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.5A, 2.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRFI4019H-117P

بخش سهام: 26279

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 150V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8.7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 95 mOhm @ 5.2A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4.9V @ 50µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7303PBF

بخش سهام: 77937

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IPG20N06S4L14ATMA1

بخش سهام: 2973

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 13.7 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 20µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRFH4253DTRPBF

بخش سهام: 74468

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 64A, 145A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.2 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.1V @ 35µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7380TRPBF

بخش سهام: 159831

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 80V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 73 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF9956PBF

بخش سهام: 2963

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

DF23MR12W1M1B11BOMA1

بخش سهام: 3162

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Silicon Carbide (SiC), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 1200V (1.2kV), جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 25A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 25A, 15V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 5.5V @ 10mA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7306TRPBF

بخش سهام: 134048

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7309PBF

بخش سهام: 123498

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4A, 3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF8910TRPBF

بخش سهام: 184858

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.55V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF8915TRPBF

بخش سهام: 198689

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8.9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7755TRPBF

بخش سهام: 2972

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 51 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7101TRPBF

بخش سهام: 197154

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7389PBF

بخش سهام: 49826

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRLHS6276TR2PBF

بخش سهام: 2990

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.1V @ 10µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF3546MTRPBF

بخش سهام: 18707

نوع FET: 4 N-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 16A (Tc), 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.9 mOhm @ 27A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.1V @ 35µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IPG20N06S2L65AATMA1

بخش سهام: 158126

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 65 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2V @ 14µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRFI4212H-117P

بخش سهام: 32918

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 11A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 72.5 mOhm @ 6.6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 5V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7501TRPBF

بخش سهام: 166411

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 700mV @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7329PBF

بخش سهام: 48234

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9.2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 17 mOhm @ 9.2A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 900mV @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7555TRPBF

بخش سهام: 2960

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7325TRPBF

بخش سهام: 2988

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 900mV @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRL6372PBF

بخش سهام: 2978

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8.1A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.1V @ 10µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRFI4019HG-117P

بخش سهام: 3354

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 150V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8.7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 95 mOhm @ 5.2A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4.9V @ 50µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRFI4020H-117P

بخش سهام: 21018

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9.1A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 5.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4.9V @ 100µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

FF11MR12W1M1B11BOMA1

بخش سهام: 3093

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Silicon Carbide (SiC), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 1200V (1.2kV), جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 100A, 15V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 5.55V @ 40mA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF6723M2DTR1P

بخش سهام: 3004

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 15A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.35V @ 25µA,

لیست علاقه مندیها