ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - آرایه ها | محصولات نیمه هادی گسسته | 11

BSL207NL6327HTSA1

بخش سهام: 2845

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.1A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 70 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 11µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BSL308PEL6327HTSA1

بخش سهام: 3339

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 11µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BSL308CL6327HTSA1

بخش سهام: 2842

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.3A, 2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2V @ 11µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BSL314PEL6327HTSA1

بخش سهام: 3308

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2V @ 6.3µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BSD840N L6327

بخش سهام: 2834

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 880mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 400 mOhm @ 880mA, 2.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 750mV @ 1.6µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BSL306NL6327HTSA1

بخش سهام: 3344

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2V @ 11µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BSL315PL6327HTSA1

بخش سهام: 2825

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2V @ 11µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BSL215CL6327HTSA1

بخش سهام: 2784

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 3.7µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BSL215PL6327HTSA1

بخش سهام: 2866

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 11µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BSL205NL6327HTSA1

بخش سهام: 5353

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 11µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BSD235N L6327

بخش سهام: 3373

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 950mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 350 mOhm @ 950mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 1.6µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BSL214NL6327HTSA1

بخش سهام: 2788

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 3.7µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BSL316CL6327HTSA1

بخش سهام: 2849

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.4A, 1.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 160 mOhm @ 1.4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2V @ 3.7µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BSD235C L6327

بخش سهام: 2795

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 950mA, 530mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 350 mOhm @ 950mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 1.6µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BTS7904BATMA1

بخش سهام: 2849

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 40A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 11.7 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 40µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BSD223P L6327

بخش سهام: 2843

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 390mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 1.5µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BSO200N03

بخش سهام: 2769

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 7.9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2V @ 13µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BSO350N03

بخش سهام: 2710

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2V @ 6µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BSO150N03

بخش سهام: 2753

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 15 mOhm @ 9.1A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2V @ 25µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BSO303PNTMA1

بخش سهام: 2695

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8.2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 21 mOhm @ 8.2A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2V @ 100µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BSO615CT

بخش سهام: 2762

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.1A, 2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 110 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2V @ 20µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BSO4804T

بخش سهام: 2714

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2V @ 30µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BSO612CV

بخش سهام: 2724

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A, 2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 120 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 20µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BSO615N

بخش سهام: 2704

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2V @ 20µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BSO215C

بخش سهام: 2649

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 3.7A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2V @ 10µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BSO4804

بخش سهام: 2708

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2V @ 30µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BSO207PNTMA1

بخش سهام: 2681

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 5.7A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 40µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BSO203PNTMA1

بخش سهام: 2677

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8.2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 21 mOhm @ 8.2A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 100µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BSO204PNTMA1

بخش سهام: 2710

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 60µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BSD223P

بخش سهام: 3281

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 390mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 1.5µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BSD235NH6327XTSA1

بخش سهام: 196176

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 950mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 350 mOhm @ 950mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 1.6µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BSO211PNTMA1

بخش سهام: 2608

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 67 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 25µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BSO220N03MDGXUMA1

بخش سهام: 21576

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 22 mOhm @ 7.7A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BSC150N03LDGATMA1

بخش سهام: 32315

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 15 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BSO150N03MDGXUMA1

بخش سهام: 53402

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 15 mOhm @ 9.3A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

BSG0810NDIATMA1

بخش سهام: 66407

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ویژگی FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 19A, 39A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها