ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - آرایه ها

خانه
ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - آرایه ها

Infineon Technologies

IRFHM8363TRPBF

بخش سهام: 191314

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 11A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 14.9 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.35V @ 25µA,

لیست علاقه مندیها

IPG20N04S4L11AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N04S4L11AATMA1

بخش سهام: 165940

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 11.6 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 15µA,

لیست علاقه مندیها

IPG20N06S4L11AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N06S4L11AATMA1

بخش سهام: 94288

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 11.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 28µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7309TRPBF

بخش سهام: 150382

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4A, 3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

IPG20N04S408ATMA1

Infineon Technologies

IPG20N04S408ATMA1

بخش سهام: 104533

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.6 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 30µA,

لیست علاقه مندیها

IPG20N10S4L35AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N10S4L35AATMA1

بخش سهام: 155833

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.1V @ 16µA,

لیست علاقه مندیها

IPG20N04S412ATMA1

Infineon Technologies

IPG20N04S412ATMA1

بخش سهام: 172931

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 15µA,

لیست علاقه مندیها

IPG20N10S436AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N10S436AATMA1

بخش سهام: 139478

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 36 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3.5V @ 16µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7331TRPBF

بخش سهام: 196280

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7104TRPBF

بخش سهام: 104561

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7379TRPBF

بخش سهام: 199093

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.8A, 4.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

IPG20N10S4L22AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N10S4L22AATMA1

بخش سهام: 108999

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 22 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.1V @ 25µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF6802SDTRPBF

بخش سهام: 60962

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 16A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.2 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.1V @ 35µA,

لیست علاقه مندیها

IPG20N06S4L26ATMA1

Infineon Technologies

IPG20N06S4L26ATMA1

بخش سهام: 197280

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 26 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 10µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRLHS6376TRPBF

بخش سهام: 115333

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 63 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.1V @ 10µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7902TRPBF

بخش سهام: 168640

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.4A, 9.7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 22.6 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.25V @ 25µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7311TRPBF

بخش سهام: 168715

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 29 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 700mV @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7316TRPBF

بخش سهام: 172337

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7904TRPBF

بخش سهام: 188754

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.6A, 11A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 16.2 mOhm @ 7.6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.25V @ 25µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7303TRPBF

بخش سهام: 185377

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

IPG20N04S408AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N04S408AATMA1

بخش سهام: 101294

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.6 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 30µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7342TRPBF

بخش سهام: 156976

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7105TRPBF

بخش سهام: 196914

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.5A, 2.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

IPG16N10S4L61AATMA1

Infineon Technologies

IPG16N10S4L61AATMA1

بخش سهام: 195154

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 16A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 61 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.1V @ 90µA,

لیست علاقه مندیها

IPG20N06S4L14ATMA2

Infineon Technologies

IPG20N06S4L14ATMA2

بخش سهام: 126778

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 13.7 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 20µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7304

بخش سهام: 40531

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 700mV @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF8313TRPBF

بخش سهام: 190133

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9.7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 15.5 mOhm @ 9.7A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.35V @ 25µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRFH4251DTRPBF

بخش سهام: 49673

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), Schottky, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 64A, 188A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.2 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.1V @ 35µA,

لیست علاقه مندیها

IPG20N06S4L11ATMA1

Infineon Technologies

IPG20N06S4L11ATMA1

بخش سهام: 97219

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 11.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 28µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7341TRPBF

بخش سهام: 73259

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7319TRPBF

بخش سهام: 180145

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7389TRPBF

بخش سهام: 166810

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7907TRPBF

بخش سهام: 173843

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9.1A, 11A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 16.4 mOhm @ 9.1A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.35V @ 25µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRFHM792TRPBF

بخش سهام: 82378

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 195 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 10µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF7506TRPBF

بخش سهام: 149700

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF9362TRPBF

بخش سهام: 188725

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 25µA,

لیست علاقه مندیها

384

«
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
»