ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - آرایه ها

FDD8426H

بخش سهام: 2797

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12A, 10A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

MMDF3N04HDR2G

بخش سهام: 2776

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

FDS6892AZ

بخش سهام: 2717

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDS3601

بخش سهام: 2704

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 480 mOhm @ 1.3A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 250µA,

FDG6301N_D87Z

بخش سهام: 3287

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 220mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTJD4401NT4G

بخش سهام: 2719

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 630mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDG6303N_D87Z

بخش سهام: 2711

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 500mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NDS9957

بخش سهام: 3327

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 160 mOhm @ 2.6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

FDS6982S

بخش سهام: 2774

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.3A, 8.6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 28 mOhm @ 6.3A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMS3600S

بخش سهام: 63274

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 15A, 30A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.7V @ 250µA,

FW216A-TL-2W

بخش سهام: 153552

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, 4V Drive, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 35V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 64 mOhm @ 4.5A, 10V,

ECH8601M-TL-H

بخش سهام: 2899

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 24V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 23 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.3V @ 1mA,

HUFA76413DK8T

بخش سهام: 2732

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.1A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 49 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

NTMD2C02R2G

بخش سهام: 2750

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.2A, 3.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 43 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 250µA,

NVDD5894NLT4G

بخش سهام: 89660

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 14A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 50A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

NVMFD5853NWFT1G

بخش سهام: 90403

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 250µA,

NTHD4401PT1

بخش سهام: 2644

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.1A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 250µA,

FDZ2553N

بخش سهام: 2739

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9.6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 14 mOhm @ 9.6A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDS9933BZ

بخش سهام: 5427

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 46 mOhm @ 4.9A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDW9926A

بخش سهام: 2756

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 32 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

VEC2415-TL-E

بخش سهام: 3310

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.6V @ 1mA,

FDPC8011S

بخش سهام: 43392

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 13A, 27A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 250µA,

NTJD4105CT4

بخش سهام: 2730

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, 8V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 630mA, 775mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDW2516NZ

بخش سهام: 2695

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 5.8A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NDS8961

بخش سهام: 2685

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.1A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

NTLJD2104PTBG

بخش سهام: 2768

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 800mV @ 250µA,

ECH8660-S-TL-H

بخش سهام: 2959

FDS6982

بخش سهام: 2700

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.3A, 8.6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 28 mOhm @ 6.3A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

ECH8659-TL-H

بخش سهام: 2892

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 3.5A, 10V,

FDQ7236AS

بخش سهام: 2900

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 14A, 11A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8.7 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

SSD2025TF

بخش سهام: 2716

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 3.3A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

MMDF2C03HDR2

بخش سهام: 2708

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.1A, 3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 70 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

HUFA76404DK8T

بخش سهام: 2700

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 62V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 110 mOhm @ 3.6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

NDH8304P

بخش سهام: 2758

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 70 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

MCH6604-TL-E

بخش سهام: 142874

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 250mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

NTJD1155LT1

بخش سهام: 2754

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 8V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 175 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,