ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - آرایه ها

MCH6602-TL-E

بخش سهام: 191190

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 350mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

FDS6898A_NF40

بخش سهام: 2814

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 14 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NDS8852H

بخش سهام: 2661

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.3A, 3.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.8V @ 250µA,

FW811-TL-E

بخش سهام: 3294

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 35V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.6V @ 1mA,

VEC2616-TL-W-Z

بخش سهام: 199667

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, 4V Drive, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A, 2.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.6V @ 1mA,

NTHD3100CT3G

بخش سهام: 2772

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.9A, 3.2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 250µA,

NTZD3156CT2G

بخش سهام: 2761

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 540mA, 430mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

FDW2507N

بخش سهام: 2689

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDW2501N

بخش سهام: 2746

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDW2508PB

بخش سهام: 2726

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDZ2554PZ

بخش سهام: 2723

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 28 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NDS8858H

بخش سهام: 2706

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.3A, 4.8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 4.8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.8V @ 250µA,

NTZD3156CT5G

بخش سهام: 2782

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 540mA, 430mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

NVMFD5875NLWFT3G

بخش سهام: 166888

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 33 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMS3604AS

بخش سهام: 3375

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 13A, 23A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.7V @ 250µA,

NTJD2152PT2G

بخش سهام: 2773

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 8V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 775mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

EFC6602R-A-TR

بخش سهام: 185435

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

FDS3912

بخش سهام: 2754

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 125 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 250µA,

EFC6617R-A-TF

بخش سهام: 135371

NTHD4401PT1G

بخش سهام: 2836

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.1A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 250µA,

NDS9953A

بخش سهام: 2676

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 130 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.8V @ 250µA,

FDS3812

بخش سهام: 2733

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 80V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 74 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 250µA,

FDG6320C_D87Z

بخش سهام: 2690

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 220mA, 140mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

ECH8651R-R-TL-H

بخش سهام: 2871

FDJ1028N

بخش سهام: 2716

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDMA1029PZ

بخش سهام: 178279

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.1A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 95 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDC6036P_F077

بخش سهام: 2788

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 44 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDS6812A

بخش سهام: 2711

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 22 mOhm @ 6.7A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDG6302P

بخش سهام: 2666

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 140mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10 Ohm @ 140mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTQD4154ZR2

بخش سهام: 2660

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTTD1P02R2

بخش سهام: 2729

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.45A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 160 mOhm @ 1.45A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.4V @ 250µA,

NTJD4105CT2

بخش سهام: 2725

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, 8V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 630mA, 775mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FW813-TL-H

بخش سهام: 2907

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 49 mOhm @ 5A, 10V,

MMDF1N05ER2

بخش سهام: 2640

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

NTJD2152PT4G

بخش سهام: 2775

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 8V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 775mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

NTLJD3119CTAG

بخش سهام: 2878

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.6A, 2.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,