ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - آرایه ها

FDS9958-F085

بخش سهام: 26954

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 105 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

FDS8858CZ

بخش سهام: 153147

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8.6A, 7.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 17 mOhm @ 8.6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

ECH8660-TL-H

بخش سهام: 177854

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 59 mOhm @ 2A, 10V,

FDS8960C

بخش سهام: 111818

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 35V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7A, 5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

NTLUD3A260PZTAG

بخش سهام: 147558

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 200 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

EFC2J003NUZTCG

بخش سهام: 117536

NTZD3154NT1G

بخش سهام: 148850

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 540mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

FDC6312P

بخش سهام: 122807

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 115 mOhm @ 2.3A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDS6910

بخش سهام: 118152

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 13 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

NTJD4401NT1G

بخش سهام: 126305

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 630mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NVMFD5853NLWFT1G

بخش سهام: 90449

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 250µA,

NTUD3170NZT5G

بخش سهام: 153569

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 220mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

NTMFD4C87NT1G

بخش سهام: 29744

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 11.7A, 14.9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.4 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 250µA,

FDS8978

بخش سهام: 143107

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

NTZD5110NT1G

بخش سهام: 185466

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 294mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

FDG6322C

بخش سهام: 124499

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 220mA, 410mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

HUFA76413DK8T-F085

بخش سهام: 2586

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.1A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 49 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

NTJD5121NT1G

بخش سهام: 179833

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 295mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

FDPC8012S

بخش سهام: 47700

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 13A, 26A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7 mOhm @ 12A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 250µA,

MCH6661-TL-W

بخش سهام: 182202

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, 4V Drive, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 188 mOhm @ 900mA, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.6V @ 1mA,

NVMFD5873NLWFT1G

بخش سهام: 71856

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

NTJD4105CT1G

بخش سهام: 180528

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, 8V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 630mA, 775mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDS4935BZ

بخش سهام: 185680

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 22 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

FDME1024NZT

بخش سهام: 131909

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 66 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

FDMA1023PZ

بخش سهام: 100824

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 72 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDS8958B

بخش سهام: 194401

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.4A, 4.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 26 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5485NLT3G

بخش سهام: 94178

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 44 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

NTJD4158CT1G

بخش سهام: 159746

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 250mA, 880mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 100µA,

EFC6612R-TF

بخش سهام: 157184

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

FDS6990AS

بخش سهام: 162854

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 1mA,

NTJD5121NT2G

بخش سهام: 197174

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 295mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

FDS6982AS

بخش سهام: 164073

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.3A, 8.6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 28 mOhm @ 6.3A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMA1028NZ

بخش سهام: 179878

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 68 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

EFC4C002NLTDG

بخش سهام: 85433

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 1mA,

HUFA76407DK8T-F085

بخش سهام: 3322

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 3.8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMC8200S

بخش سهام: 148692

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A, 8.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,