ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - آرایه ها

NVMFD5C470NLWFT1G

بخش سهام: 277

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 11A (Ta), 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 11.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 20µA,

FDMS3660S

بخش سهام: 144159

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 13A, 30A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.7V @ 250µA,

FDMD8440L

بخش سهام: 9941

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 21A (Ta), 87A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.6 mOhm @ 21A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMS3686S

بخش سهام: 98643

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 13A, 23A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.7V @ 250µA,

SQJ500EPTR

بخش سهام: 2970

VEC2616-TL-H-Z-W

بخش سهام: 9922

NTMFD4902NFT3G

بخش سهام: 98047

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), Schottky, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10.3A, 13.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 250µA,

SSD2007ATF

بخش سهام: 2977

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 250µA,

MMDF2P02HDR2G

بخش سهام: 2922

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 160 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2V @ 250µA,

FDS3992

بخش سهام: 87571

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 62 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 250µA,

NTLUD3A260PZTBG

بخش سهام: 162644

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 200 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

FDPC3D5N025X9D

بخش سهام: 97245

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 74A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.01 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

FDS8949

بخش سهام: 64827

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 29 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

ECH8655R-TL-H

بخش سهام: 174892

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 24V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 17 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

NDS8958

بخش سهام: 2659

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.3A, 4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.8V @ 250µA,

NTHD3100CT3

بخش سهام: 2692

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.9A, 3.2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 250µA,

FDY4001CZ

بخش سهام: 2688

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 200mA, 150mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTMD6P02R2SG

بخش سهام: 2763

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 250µA,

MMDF3N04HDR2

بخش سهام: 2667

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMS3660S-F121

بخش سهام: 2953

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 13A, 30A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.7V @ 250µA,

NTMD2P01R2G

بخش سهام: 2669

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 16V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

VEC2616-TL-H-Z

بخش سهام: 2971

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, 4V Drive, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A, 2.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V,

FDMC8200S_F106

بخش سهام: 3352

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A, 8.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

FW812-TL-E

بخش سهام: 2832

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 35V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.6V @ 1mA,

NTLUD3191PZTBG

بخش سهام: 2826

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.1A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 250 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

FDS8962C

بخش سهام: 2774

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7A, 5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

NTMC1300R2

بخش سهام: 3306

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.2A, 1.8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 250µA,

FDW9926NZ

بخش سهام: 2770

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 32 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDR8308P

بخش سهام: 2748

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

EMH2407-TL-H

بخش سهام: 165186

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 3A, 4.5V,

ECH8619-TL-E

بخش سهام: 2845

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A, 2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 93 mOhm @ 1.5A, 10V,

FDZ2554P

بخش سهام: 2769

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 28 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDW2501NZ

بخش سهام: 2739

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDJ1032C

بخش سهام: 2679

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.2A, 2.8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTQD6968R2

بخش سهام: 2684

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 22 mOhm @ 6.6A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 250µA,

FDW2512NZ

بخش سهام: 2739

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 28 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,