نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 150mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 630mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,
نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 135 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2V @ 250µA,
نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 220mA, 410mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,
نوع FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 24V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 11.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2V @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 24V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 23 mOhm @ 4A, 4.5V,
نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 880mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 260 mOhm @ 880mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 250µA,
نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.2A, 2.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,
نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 112 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,
نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A, 8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 250mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 100µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,
نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 52 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,
نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 26 mOhm @ 8A, 10V,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 6.4A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,
نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.1A, 3.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 4.1A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 23 mOhm @ 10A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 3A, 4.5V,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 59 mOhm @ 2A, 10V,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 200mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,
نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,
نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 85 mOhm @ 3A, 4.5V,
نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 140 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 17 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,
نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.5A, 3.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,
نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A, 4.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 75V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 65A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.3 mOhm @ 40A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 250µA,
نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, 4V Drive, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 140mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 22 Ohm @ 40mA, 10V,
نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 26 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,
