ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - آرایه ها

EFC6618R-A-TF

بخش سهام: 2949

NTMD2C02R2SG

بخش سهام: 2975

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.2A, 3.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 43 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 250µA,

NTMFD4C85NT3G

بخش سهام: 32493

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 15.4A, 29.7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.1V @ 250µA,

ECH8601M-P-TL-H

بخش سهام: 2975

FDMB3900N

بخش سهام: 2995

FDS6984AS

بخش سهام: 199659

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.5A, 8.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 31 mOhm @ 5.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

EFC6601R-TR

بخش سهام: 198703

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

NVMFD5852NLWFT1G

بخش سهام: 76130

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 15A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6.9 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 250µA,

FDPC8013S

بخش سهام: 73996

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 13A, 26A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6.4 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

FDY2000PZ

بخش سهام: 195330

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 350mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTQD6968NR2

بخش سهام: 2953

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 22 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 250µA,

FDC6310P

بخش سهام: 117394

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 125 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NVMFD5483NLWFT3G

بخش سهام: 70979

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 36 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

FDMB2307NZ

بخش سهام: 191134

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate,

FDPC8016S

بخش سهام: 69237

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A, 35A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.8 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

NVMFD5C672NLWFT1G

بخش سهام: 6532

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12A (Ta), 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 11.9 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 30µA,

EMH2604-TL-H

بخش سهام: 118126

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4A, 3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 4A, 4.5V,

FDME1023PZT

بخش سهام: 114825

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 142 mOhm @ 2.3A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

FDMA1027P

بخش سهام: 148465

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 120 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.3V @ 250µA,

NTHD4502NT1G

بخش سهام: 147583

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5C466NLWFT1G

بخش سهام: 251

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 14A (Ta), 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 30µA,

FDS4953

بخش سهام: 2994

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5489NLT1G

بخش سهام: 91710

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 65 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

NDS8936

بخش سهام: 3130

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.8V @ 250µA,

FDMC8030

بخش سهام: 182984

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.8V @ 250µA,

SQJ500EP

بخش سهام: 2995

FDMB2308PZ

بخش سهام: 98641

نوع FET: 2 P-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 36 mOhm @ 5.7A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDMA2002NZ_F130

بخش سهام: 3353

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 123 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

EMH2418R-TL-H

بخش سهام: 147303

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 24V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 15 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.3V @ 1mA,

FDS9933A

بخش سهام: 190178

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 75 mOhm @ 3.8A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDC6506P

بخش سهام: 194858

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 170 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5483NLT1G

بخش سهام: 65498

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 36 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

FDC6305N

بخش سهام: 129016

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTUD3129PT5G

بخش سهام: 2940

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 140mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

NVMFD5875NLT1G

بخش سهام: 155747

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 33 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMS3668S

بخش سهام: 82251

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 13A, 18A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.7V @ 250µA,