ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - آرایه ها

FDG6301N

بخش سهام: 168456

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 220mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDC6561AN

بخش سهام: 139456

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 95 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5C680NLT1G

بخش سهام: 9923

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.5A (Ta), 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 28 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 13µA,

FDS8947A

بخش سهام: 2987

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 52 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

FDML7610S

بخش سهام: 100177

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12A, 17A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.5 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

NTJD4152PT2G

بخش سهام: 174011

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 880mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 260 mOhm @ 880mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 250µA,

NTMD6N02R2G

بخش سهام: 152790

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.92A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 250µA,

NVMD6N04R2G

بخش سهام: 160815

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 34 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5C672NLT1G

بخش سهام: 262

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12A (Ta), 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 11.9 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 30µA,

FDMD8260LET60

بخش سهام: 41547

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 15A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.8 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

NDS9952A

بخش سهام: 160596

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.7A, 2.9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.8V @ 250µA,

FDMS3622S

بخش سهام: 105683

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 17.5A, 34A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 17.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2V @ 250µA,

FDMS3610S

بخش سهام: 116056

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 17.5A, 30A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 17.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2V @ 250µA,

FDC6302P

بخش سهام: 184685

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 120mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

ECH8649-TL-H

بخش سهام: 2942

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 17 mOhm @ 4A, 4.5V,

ECH8601M-TL-H-P

بخش سهام: 2925

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 24V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 23 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.3V @ 1mA,

FDS9945

بخش سهام: 120654

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

NTMFD4901NFT1G

بخش سهام: 126984

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), Schottky, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10.3A, 17.9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 250µA,

FDC6327C

بخش سهام: 146072

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.7A, 1.9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDMC8298

بخش سهام: 2974

NTMFD5C650NLT1G

بخش سهام: 6527

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 21A (Ta), 111A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 98µA,

NVMFD5C446NWFT1G

بخش سهام: 6461

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 24A (Ta), 127A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.9 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3.5V @ 250µA,

FDMJ1032C

بخش سهام: 2986

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.2A, 2.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDG6308P

بخش سهام: 158700

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 600mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDG6320C

بخش سهام: 131902

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 220mA, 140mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

EFC4622R-R-W-E-TR

بخش سهام: 2960

FDS4559

بخش سهام: 172345

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.5A, 3.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

NTJD2152PT4

بخش سهام: 2980

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 8V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 775mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

NVJD4401NT1G

بخش سهام: 192220

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 630mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NVMFD5877NLT1G

بخش سهام: 171488

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 39 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

NTZD5110NT5G

بخش سهام: 3000

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 294mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

FDR8702H

بخش سهام: 3117

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.6A, 2.6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 38 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTLLD4901NFTWG

بخش سهام: 132118

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.5A, 6.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 17.4 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 250µA,

FDC6333C

بخش سهام: 131502

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.5A, 2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 95 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMA3023PZ

بخش سهام: 148246

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

FDZ1323NZ

بخش سهام: 166913

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 13 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.2V @ 250µA,