Menu
فارسیفارسی
RFQS / سفارش
0RFQS / سفارش

دیودها - یکسو کننده ها - آرایه ها

  • خانه
  •  
  • دیودها - یکسو کننده ها - آرایه ها
MBRT20040
GeneSiC Semiconductor

MBRT20040

بخش سهام: 1226

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 40V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 750mV @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها
MUR2X060A06
GeneSiC Semiconductor

MUR2X060A06

بخش سهام: 3244

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 600V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 120A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.5V @ 60A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها
MBR40040CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR40040CTR

بخش سهام: 1155

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 40V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 400A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 650mV @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها
MBR40045CTS
GeneSiC Semiconductor

MBR40045CTS

بخش سهام: 1365

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 45V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 400A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.2V @ 200A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها
GB20SLT12-247D
GeneSiC Semiconductor

GB20SLT12-247D

بخش سهام: 5080

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Silicon Carbide Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 1200V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 25A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.8V @ 10A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها
MBR2X050A200
GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A200

بخش سهام: 2947

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 200V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 100A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 920mV @ 50A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها
FST16035
GeneSiC Semiconductor

FST16035

بخش سهام: 1345

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 35V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 160A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 750mV @ 160A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها
MBR2X120A045
GeneSiC Semiconductor

MBR2X120A045

بخش سهام: 2710

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 45V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 240A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 700mV @ 120A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها
MBRT30040R
GeneSiC Semiconductor

MBRT30040R

بخش سهام: 1073

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, Reverse Polarity, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 40V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 300A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 750mV @ 150A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها
MBR2X030A045
GeneSiC Semiconductor

MBR2X030A045

بخش سهام: 3701

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 45V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 60A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 700mV @ 30A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها
MUR2X060A04
GeneSiC Semiconductor

MUR2X060A04

بخش سهام: 3385

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 400V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 120A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.3V @ 60A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها
MBR2X080A045
GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A045

بخش سهام: 3289

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 45V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 160A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 700mV @ 80A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها
MBR2X030A100
GeneSiC Semiconductor

MBR2X030A100

بخش سهام: 3572

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 100V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 60A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 840mV @ 30A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها
MUR2X060A02
GeneSiC Semiconductor

MUR2X060A02

بخش سهام: 3221

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 200V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 120A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1V @ 60A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها
MBR30035CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR30035CTR

بخش سهام: 1234

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, Reverse Polarity, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 35V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 300A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 700mV @ 150A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها
MBRT600200R
GeneSiC Semiconductor

MBRT600200R

بخش سهام: 820

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 200V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 300A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 920mV @ 300A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها
MBRT400100
GeneSiC Semiconductor

MBRT400100

بخش سهام: 1123

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 100V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 400A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 880mV @ 200A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها
MBR2X080A100
GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A100

بخش سهام: 3337

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 100V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 160A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 840mV @ 80A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها
MUR2X030A06
GeneSiC Semiconductor

MUR2X030A06

بخش سهام: 3768

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 600V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 60A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.5V @ 30A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها
MBR400100CT
GeneSiC Semiconductor

MBR400100CT

بخش سهام: 1403

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 100V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 400A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 840mV @ 200A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها
MSRTA600140(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA600140(A)

بخش سهام: 673

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 1400V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 600A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.2V @ 600A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها
MSRTA6001R
GeneSiC Semiconductor

MSRTA6001R

بخش سهام: 750

ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 1600V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 600A (DC), سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها
MSRTA60060(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA60060(A)

بخش سهام: 682

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 600V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 600A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.2V @ 600A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها
MSRTA600100(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA600100(A)

بخش سهام: 691

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 1000V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 600A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.2V @ 600A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها
MSRTA60080(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA60080(A)

بخش سهام: 753

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 800V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 600A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.2V @ 600A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها
MBRT40045DL
GeneSiC Semiconductor

MBRT40045DL

بخش سهام: 877

پیکربندی دیود: 1 Pair Series Connection, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 45V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 580mV @ 200A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها
MSRTA600120(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA600120(A)

بخش سهام: 675

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 1200V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 600A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.2V @ 600A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها
MSRTA6001
GeneSiC Semiconductor

MSRTA6001

بخش سهام: 665

ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 1600V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 600A (DC), سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها
GB10SLT12-247D
GeneSiC Semiconductor

GB10SLT12-247D

بخش سهام: 8816

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Silicon Carbide Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 1200V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 12A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.9V @ 5A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها
MBRF120200
GeneSiC Semiconductor

MBRF120200

بخش سهام: 4536

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 200V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 60A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 920mV @ 60A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها
MURF30020
GeneSiC Semiconductor

MURF30020

بخش سهام: 4527

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 200V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 150A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1V @ 150A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها
MBR30030CTRL
GeneSiC Semiconductor

MBR30030CTRL

بخش سهام: 4504

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 30V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 150A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 580mV @ 150A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها
MBR30020CTL
GeneSiC Semiconductor

MBR30020CTL

بخش سهام: 4475

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 20V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 150A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 580mV @ 150A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها
MBRF12030
GeneSiC Semiconductor

MBRF12030

بخش سهام: 4508

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 30V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 60A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 700mV @ 60A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها
MBRF30020
GeneSiC Semiconductor

MBRF30020

بخش سهام: 4526

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 20V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 150A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 700mV @ 150A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها
MBRT40040RL
GeneSiC Semiconductor

MBRT40040RL

بخش سهام: 4486

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 40V, جریان - متوسط ​​تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 600mV @ 200A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها