دیودها - یکسو کننده ها - آرایه ها | محصولات نیمه هادی گسسته | 25

MSRT250100(A)

بخش سهام: 1315

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 1000V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 250A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.2V @ 250A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBRT20035

بخش سهام: 1436

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 35V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 750mV @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR20045CTR

بخش سهام: 1504

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 45V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 650mV @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBRT400100R

بخش سهام: 1385

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, Reverse Polarity, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 100V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 400A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 880mV @ 200A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MSRTA200140(A)D

بخش سهام: 1307

پیکربندی دیود: 1 Pair Series Connection, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 1400V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.1V @ 200A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBRT30080R

بخش سهام: 1226

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 80V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 300A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 880mV @ 150A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR2X030A060

بخش سهام: 4404

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 60V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 30A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 750mV @ 30A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MSRT200100(A)D

بخش سهام: 1330

پیکربندی دیود: 1 Pair Series Connection, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 1000V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.1V @ 200A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MURT10060

بخش سهام: 1305

نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 600V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 100A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.7V @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBRT50080R

بخش سهام: 1119

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 80V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 500A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 880mV @ 250A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR600150CTR

بخش سهام: 983

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 150V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 300A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 880mV @ 300A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR20080CTR

بخش سهام: 1533

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 80V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 840mV @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MSRTA50080(A)

بخش سهام: 788

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 800V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 500A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.2V @ 500A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MURT20010

بخش سهام: 1169

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 100V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.3V @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

FST12035

بخش سهام: 1555

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 35V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 120A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 650mV @ 120A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A150

بخش سهام: 3770

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 150V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 50A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 880mV @ 50A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MURT40020

بخش سهام: 1079

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 400A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.3V @ 200A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MUR20040CTR

بخش سهام: 1244

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 400V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.3V @ 50A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A100

بخش سهام: 3308

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 100V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 100A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 840mV @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MUR40005CT

بخش سهام: 1208

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 50V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 400A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.3V @ 125A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A150

بخش سهام: 3686

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 150V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 80A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 880mV @ 80A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBRT200200R

بخش سهام: 1653

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 100A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 920mV @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MUR40020CT

بخش سهام: 1212

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 400A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.3V @ 125A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR30080CT

بخش سهام: 1488

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 80V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 300A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 840mV @ 150A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBRT600150

بخش سهام: 937

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 150V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 300A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 880mV @ 300A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR500150CTR

بخش سهام: 1123

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 150V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 250A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 880mV @ 250A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBRT12030R

بخش سهام: 1838

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 30V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 120A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 750mV @ 60A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBRT20040R

بخش سهام: 1436

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, Reverse Polarity, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 40V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 750mV @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBRT50030R

بخش سهام: 1048

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 30V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 500A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 750mV @ 250A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MURT20040R

بخش سهام: 1170

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 400V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.35V @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MUR20010CT

بخش سهام: 1215

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 100V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.3V @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MUR40060CT

بخش سهام: 1261

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 600V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 400A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.3V @ 125A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR20020CT

بخش سهام: 1568

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 20V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 650mV @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBRT120200

بخش سهام: 1835

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 60A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 920mV @ 60A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MSRTA40060(A)

بخش سهام: 1225

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 600V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 400A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.2V @ 400A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MSRTA30060(A)

بخش سهام: 1358

پیکربندی دیود: 1 Pair Series Connection, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 600V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 300A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.2V @ 300A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها