دیودها - یکسو کننده ها - آرایه ها | محصولات نیمه هادی گسسته | 25

MBR2X060A120

بخش سهام: 3792

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 120V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 60A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 880mV @ 60A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

FST10040

بخش سهام: 1576

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 40V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 100A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 650mV @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MURTA30020R

بخش سهام: 933

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 150A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1V @ 150A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

FST100150

بخش سهام: 1653

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 150V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 50A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 880mV @ 50A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR60020CT

بخش سهام: 970

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 20V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 300A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 750mV @ 300A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBRT40030

بخش سهام: 1396

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 30V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 400A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 750mV @ 200A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR30045CT

بخش سهام: 1411

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 45V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 300A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 650mV @ 150A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MUR20040CT

بخش سهام: 1223

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 400V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.3V @ 50A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBRT50020

بخش سهام: 1075

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 20V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 500A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 750mV @ 250A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MUR2X120A04

بخش سهام: 3090

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 400V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 120A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.3V @ 120A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MUR40020CTR

بخش سهام: 1219

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 400A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.3V @ 125A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MSRT100120(A)D

بخش سهام: 1932

پیکربندی دیود: 1 Pair Series Connection, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 1200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 100A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.1V @ 100A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBRT300200

بخش سهام: 1527

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 150A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 920mV @ 150A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A100

بخش سهام: 3980

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 100V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 60A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 840mV @ 60A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR50060CTR

بخش سهام: 1169

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, Reverse Polarity, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 600V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 500A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 800mV @ 250A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MSRT20080(A)D

بخش سهام: 1406

پیکربندی دیود: 1 Pair Series Connection, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 800V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.1V @ 200A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MURT30005R

بخش سهام: 1110

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 50V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 300A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.3V @ 150A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

FST10080

بخش سهام: 1594

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 80V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 100A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 840mV @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR20030CTR

بخش سهام: 1551

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 30V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 650mV @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR60030CTR

بخش سهام: 939

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 30V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 300A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 750mV @ 300A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBRT500200

بخش سهام: 1086

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 250A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 920mV @ 250A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

FST16040

بخش سهام: 1522

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 40V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 160A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 750mV @ 160A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR30060CT

بخش سهام: 1418

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 60V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 300A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 750mV @ 150A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR400200CTR

بخش سهام: 1590

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 920mV @ 200A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBRT12035R

بخش سهام: 1858

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 35V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 120A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 750mV @ 60A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBRT400200R

بخش سهام: 3118

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 920mV @ 200A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBRT30045R

بخش سهام: 1299

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 45V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 300A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 750mV @ 150A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MUR30010CT

بخش سهام: 1376

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 100V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 300A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.3V @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBRT200100

بخش سهام: 1466

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 100V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 880mV @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR40030CTR

بخش سهام: 1565

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 30V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 400A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 650mV @ 200A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR12035CTR

بخش سهام: 1550

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 35V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 120A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 650mV @ 120A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MUR10060CTR

بخش سهام: 1583

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 600V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 100A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.7V @ 50A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR40030CT

بخش سهام: 1519

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 30V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 400A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 650mV @ 200A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR12040CT

بخش سهام: 1537

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 40V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 120A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 650mV @ 120A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBRT12080

بخش سهام: 1821

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 80V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 120A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 880mV @ 60A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBRT20080R

بخش سهام: 1417

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 80V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 880mV @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها