دیودها - یکسو کننده ها - آرایه ها | محصولات نیمه هادی گسسته | 25

MBR20040CTR

بخش سهام: 1522

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 40V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 650mV @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBRT600100

بخش سهام: 943

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 100V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 600A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 880mV @ 300A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBRT500150

بخش سهام: 1136

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 150V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 250A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 880mV @ 250A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR60045CTR

بخش سهام: 809

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 45V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 300A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 750mV @ 300A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A150

بخش سهام: 3665

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 150V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 60A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 880mV @ 60A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR50035CTR

بخش سهام: 1190

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 35V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 500A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 750mV @ 250A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MURTA20060

بخش سهام: 945

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 600V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 100A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.7V @ 100A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR2X120A180

بخش سهام: 3068

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 180V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 120A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 920mV @ 120A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A120

بخش سهام: 3870

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 120V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 80A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 880mV @ 80A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MUR20060CTR

بخش سهام: 1240

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 600V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.7V @ 50A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A080

بخش سهام: 3284

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 80V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 100A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 840mV @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A080

بخش سهام: 4139

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 80V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 80A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 840mV @ 80A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A060

بخش سهام: 3894

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 60V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 50A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 750mV @ 50A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBRT120150

بخش سهام: 1838

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 150V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 60A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 880mV @ 60A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBRT20060R

بخش سهام: 1368

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 60V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 800mV @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBRT30060R

بخش سهام: 1244

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 60V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 300A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 800mV @ 150A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR12080CTR

بخش سهام: 1544

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 80V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 120A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 840mV @ 60A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

FST16060

بخش سهام: 1480

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 60V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 160A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 800mV @ 160A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MURTA60060

بخش سهام: 1000

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 600V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 600A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.7V @ 300A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MURT30020

بخش سهام: 1086

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 300A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.3V @ 150A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MSRT10080(A)D

بخش سهام: 1907

پیکربندی دیود: 1 Pair Series Connection, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 800V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 100A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.1V @ 100A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR120200CT

بخش سهام: 1554

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 60A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 920mV @ 60A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBRT60040

بخش سهام: 956

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 40V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 600A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 750mV @ 300A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR12040CTR

بخش سهام: 1504

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 40V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 120A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 650mV @ 120A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBRT12060R

بخش سهام: 1881

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 60V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 120A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 800mV @ 60A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBRT40060R

بخش سهام: 1366

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 60V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 400A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 800mV @ 200A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR40045CT

بخش سهام: 1238

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 45V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 400A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 650mV @ 200A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR50080CT

بخش سهام: 1182

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 80V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 500A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 880mV @ 250A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MURT30060R

بخش سهام: 1172

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 600V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 300A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.7V @ 150A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

FST10045

بخش سهام: 1532

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 45V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 100A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 650mV @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBRT40035

بخش سهام: 1119

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 35V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 400A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 750mV @ 200A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MUR20020CTR

بخش سهام: 1203

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.3V @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MUR2X060A12

بخش سهام: 2901

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 1200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 60A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 2.35V @ 60A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MURTA400120R

بخش سهام: 958

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 1200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 2.6V @ 200A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR20040CT

بخش سهام: 1562

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 40V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 650mV @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR30040CT

بخش سهام: 1442

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 40V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 300A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 650mV @ 150A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها