دیودها - یکسو کننده ها - آرایه ها | محصولات نیمه هادی گسسته | 25

MURTA400120

بخش سهام: 996

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 1200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 2.6V @ 200A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MUR2X030A04

بخش سهام: 4394

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 400V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 30A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.3V @ 30A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MURTA50060R

بخش سهام: 982

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 600V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 500A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.7V @ 250A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A200

بخش سهام: 3393

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 80A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 920mV @ 80A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBRT300100R

بخش سهام: 1524

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 100V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 300A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 880mV @ 150A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR2X120A150

بخش سهام: 3101

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 150V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 120A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 880mV @ 120A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MURTA200120

بخش سهام: 994

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 1200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 100A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 2.6V @ 100A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBRT30020

بخش سهام: 1593

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 20V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 300A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 750mV @ 150A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR500200CTR

بخش سهام: 1176

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 250A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 920mV @ 250A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR30035CT

بخش سهام: 1406

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 35V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 650mV @ 150A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR50040CT

بخش سهام: 1198

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 40V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 500A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 750mV @ 250A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR40020CT

بخش سهام: 1580

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 20V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 400A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 650mV @ 200A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

FST12020

بخش سهام: 1534

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 20V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 120A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 650mV @ 120A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MURTA30060R

بخش سهام: 1021

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 600V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 150A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.7V @ 150A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MURT30040R

بخش سهام: 1168

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 400V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 300A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.35V @ 150A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MURT10005

بخش سهام: 1314

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 50V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 100A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.3V @ 50A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MURT30005

بخش سهام: 1154

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 50V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 300A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.3V @ 150A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MURTA20040R

بخش سهام: 971

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 400V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 100A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.3V @ 100A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR20020CTR

بخش سهام: 1511

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 20V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 650mV @ 100A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR500200CT

بخش سهام: 1191

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 250A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 920mV @ 250A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MUR10005CTR

بخش سهام: 1524

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 50V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 100A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.3V @ 50A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

FST160100

بخش سهام: 1519

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 100V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 160A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 880mV @ 160A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MURTA40040

بخش سهام: 989

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 400V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.3V @ 200A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR40080CT

بخش سهام: 1222

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 80V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 400A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 840mV @ 200A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MSRT200120(A)D

بخش سهام: 1339

پیکربندی دیود: 1 Pair Series Connection, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 1200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 200A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.1V @ 200A, سرعت: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR40020CTR

بخش سهام: 1584

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 20V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 400A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 650mV @ 200A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBRT60030R

بخش سهام: 934

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 30V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 600A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 750mV @ 300A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MURT10020

بخش سهام: 1292

نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 200V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 100A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.3V @ 50A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR120100CT

بخش سهام: 1548

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 100V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 120A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 840mV @ 60A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBRT12040R

بخش سهام: 1889

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 40V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 120A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 750mV @ 60A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBRT120100R

بخش سهام: 1802

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Anode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 100V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 120A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 880mV @ 60A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR600150CT

بخش سهام: 917

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 150V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 300A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 880mV @ 300A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBRT120100

بخش سهام: 1842

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 100V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 120A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 880mV @ 60A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBRT40020

بخش سهام: 1322

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 20V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 400A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 750mV @ 200A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A080

بخش سهام: 4085

پیکربندی دیود: 2 Independent, نوع دیود: Schottky, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 80V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 60A, ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 840mV @ 60A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها

GeneSiC Semiconductor

MUR40010CT

بخش سهام: 1209

پیکربندی دیود: 1 Pair Common Cathode, نوع دیود: Standard, ولتاژ - DC معکوس (Vr) (حداکثر): 100V, جریان - متوسط تصحیح شده (Io) (در هر دیود): 400A (DC), ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: 1.3V @ 125A, سرعت: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

لیست علاقه مندیها