ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک | محصولات نیمه هادی گسسته | 100

IRFZ48RPBF

بخش سهام: 45978

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 43A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

IRFI9Z34GPBF

بخش سهام: 22202

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 140 mOhm @ 7.2A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

IRF9630SPBF

بخش سهام: 24934

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 800 mOhm @ 3.9A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

IRLIZ14GPBF

بخش سهام: 37823

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 200 mOhm @ 4.8A, 5V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

IRFI614GPBF

بخش سهام: 91912

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 250V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.1A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2 Ohm @ 1.3A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

IRFZ24SPBF

بخش سهام: 26923

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 17A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

IRFI9640GPBF

بخش سهام: 20082

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.1A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 500 mOhm @ 3.7A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SIHA15N65E-GE3

بخش سهام: 5340

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 15A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 280 mOhm @ 8A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

IRFI840GPBF

بخش سهام: 29973

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.6A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 850 mOhm @ 2.8A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

IRFBC40ASPBF

بخش سهام: 14924

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.2A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.2 Ohm @ 3.7A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

IRFP150PBF

بخش سهام: 20959

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 41A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 25A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

IRF840ALPBF

بخش سهام: 23829

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 850 mOhm @ 4.8A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

IRF730SPBF

بخش سهام: 27956

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 400V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1 Ohm @ 3.3A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SIHB25N50E-GE3

بخش سهام: 4323

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 26A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 145 mOhm @ 12A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

IRFI620GPBF

بخش سهام: 45574

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.1A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 800 mOhm @ 2.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SIHA14N60E-E3

بخش سهام: 28114

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 13A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 309 mOhm @ 7A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

IRFU014PBF

بخش سهام: 55971

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.7A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 200 mOhm @ 4.6A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SIHB16N50C-E3

بخش سهام: 20505

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 16A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 380 mOhm @ 8A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

IRFI644GPBF

بخش سهام: 30443

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 250V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.9A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 280 mOhm @ 4.7A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SIHA22N60AE-E3

بخش سهام: 18399

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SIHF12N50C-E3

بخش سهام: 25250

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 555 mOhm @ 4A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

IRFR430APBF

بخش سهام: 34886

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.7 Ohm @ 3A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SIHG23N60E-GE3

بخش سهام: 14167

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 23A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 158 mOhm @ 12A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

IRF830ASPBF

بخش سهام: 40723

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.4 Ohm @ 3A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

IRF840LCLPBF

بخش سهام: 44980

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 850 mOhm @ 4.8A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

IRFP450APBF

بخش سهام: 22909

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 14A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 400 mOhm @ 8.4A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

IRFIB6N60APBF

بخش سهام: 15895

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 750 mOhm @ 3.3A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

IRF820ASPBF

بخش سهام: 39205

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

IRFBC30PBF

بخش سهام: 48217

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.6A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

IRFD020PBF

بخش سهام: 47636

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.4A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 1.4A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

IRFBE30LPBF

بخش سهام: 23371

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 800V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.1A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3 Ohm @ 2.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SIHF18N50D-E3

بخش سهام: 22876

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 18A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 280 mOhm @ 9A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

IRF614SPBF

بخش سهام: 38420

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 250V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.7A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2 Ohm @ 1.6A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

IRFZ44SPBF

بخش سهام: 23892

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 28 mOhm @ 31A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SI8447DB-T2-E1

بخش سهام: 2068

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 11A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 75 mOhm @ 1A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SIS612EDNT-T1-GE3

بخش سهام: 182245

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.9 mOhm @ 14A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها