Menu
فارسیفارسی
RFQS / سفارش
0RFQS / سفارش

ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک

  • خانه
  •  
  • ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک
IRLZ24LPBF
Vishay Siliconix

IRLZ24LPBF

بخش سهام: 40522

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 17A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 10A, 5V,

لیست علاقه مندیها
IRFR1N60APBF
Vishay Siliconix

IRFR1N60APBF

بخش سهام: 42906

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.4A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7 Ohm @ 840mA, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFU320PBF
Vishay Siliconix

IRFU320PBF

بخش سهام: 59133

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 400V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.1A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.8 Ohm @ 1.9A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRLZ34SPBF
Vishay Siliconix

IRLZ34SPBF

بخش سهام: 65711

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 30A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 18A, 5V,

لیست علاقه مندیها
IRF740SPBF
Vishay Siliconix

IRF740SPBF

بخش سهام: 32066

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 400V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 550 mOhm @ 6A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF644SPBF
Vishay Siliconix

IRF644SPBF

بخش سهام: 22482

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 250V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 14A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 280 mOhm @ 8.4A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SQM50N04-4M1_GE3
Vishay Siliconix

SQM50N04-4M1_GE3

بخش سهام: 54495

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.1 mOhm @ 30A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFR220PBF
Vishay Siliconix

IRFR220PBF

بخش سهام: 87182

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.8A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 800 mOhm @ 2.9A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SUM90140E-GE3
Vishay Siliconix

SUM90140E-GE3

بخش سهام: 40351

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 90A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 17 mOhm @ 30A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFIZ34GPBF
Vishay Siliconix

IRFIZ34GPBF

بخش سهام: 31492

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 12A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF840ASTRLPBF
Vishay Siliconix

IRF840ASTRLPBF

بخش سهام: 69055

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 850 mOhm @ 4.8A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFD310PBF
Vishay Siliconix

IRFD310PBF

بخش سهام: 40487

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 400V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 350mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.6 Ohm @ 210mA, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF710PBF
Vishay Siliconix

IRF710PBF

بخش سهام: 73277

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 400V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.6 Ohm @ 1.2A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF720PBF
Vishay Siliconix

IRF720PBF

بخش سهام: 72522

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 400V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.3A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.8 Ohm @ 2A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIHA21N60EF-E3
Vishay Siliconix

SIHA21N60EF-E3

بخش سهام: 16530

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 21A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 176 mOhm @ 11A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIHA24N65EF-E3
Vishay Siliconix

SIHA24N65EF-E3

بخش سهام: 11308

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 24A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 156 mOhm @ 12A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFB18N50KPBF
Vishay Siliconix

IRFB18N50KPBF

بخش سهام: 4951

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 17A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 290 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF730STRLPBF
Vishay Siliconix

IRF730STRLPBF

بخش سهام: 54881

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 400V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1 Ohm @ 3.3A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIHP30N60E-E3
Vishay Siliconix

SIHP30N60E-E3

بخش سهام: 5175

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 29A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 125 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFZ40PBF
Vishay Siliconix

IRFZ40PBF

بخش سهام: 33783

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 28 mOhm @ 31A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIHF15N60E-E3
Vishay Siliconix

SIHF15N60E-E3

بخش سهام: 21455

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 15A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 280 mOhm @ 8A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRL540SPBF
Vishay Siliconix

IRL540SPBF

بخش سهام: 33216

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 28A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 77 mOhm @ 17A, 5V,

لیست علاقه مندیها
SIHP22N65E-GE3
Vishay Siliconix

SIHP22N65E-GE3

بخش سهام: 14373

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 22A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIHF12N65E-GE3
Vishay Siliconix

SIHF12N65E-GE3

بخش سهام: 55698

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 380 mOhm @ 6A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIHP25N60EFL-GE3
Vishay Siliconix

SIHP25N60EFL-GE3

بخش سهام: 14011

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 25A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 146 mOhm @ 12.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIHP15N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHP15N60E-GE3

بخش سهام: 22535

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 15A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 280 mOhm @ 8A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF510SPBF
Vishay Siliconix

IRF510SPBF

بخش سهام: 56767

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.6A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 540 mOhm @ 3.4A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFD9014PBF
Vishay Siliconix

IRFD9014PBF

بخش سهام: 4776

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.1A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 500 mOhm @ 660mA, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFI740GLCPBF
Vishay Siliconix

IRFI740GLCPBF

بخش سهام: 17033

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 400V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.7A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 550 mOhm @ 3.4A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF820SPBF
Vishay Siliconix

IRF820SPBF

بخش سهام: 42605

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIHP6N80E-GE3
Vishay Siliconix

SIHP6N80E-GE3

بخش سهام: 4334

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 800V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.4A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 940 mOhm @ 3A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFIZ24GPBF
Vishay Siliconix

IRFIZ24GPBF

بخش سهام: 37232

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 14A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 8.4A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIHP8N50D-GE3
Vishay Siliconix

SIHP8N50D-GE3

بخش سهام: 46955

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8.7A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 850 mOhm @ 4A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFB11N50APBF
Vishay Siliconix

IRFB11N50APBF

بخش سهام: 37384

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 11A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 520 mOhm @ 6.6A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIHF28N60EF-GE3
Vishay Siliconix

SIHF28N60EF-GE3

بخش سهام: 10582

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 28A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 123 mOhm @ 14A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFR9110PBF
Vishay Siliconix

IRFR9110PBF

بخش سهام: 75547

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.1A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.2 Ohm @ 1.9A, 10V,

لیست علاقه مندیها