Menu
فارسیفارسی
RFQS / سفارش
0RFQS / سفارش

ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک

  • خانه
  •  
  • ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک
IRF634PBF
Vishay Siliconix

IRF634PBF

بخش سهام: 45547

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 250V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8.1A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 450 mOhm @ 5.1A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIHG30N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHG30N60E-GE3

بخش سهام: 10405

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 29A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 125 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFPE30PBF
Vishay Siliconix

IRFPE30PBF

بخش سهام: 11961

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 800V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.1A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3 Ohm @ 2.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIHP12N50E-GE3
Vishay Siliconix

SIHP12N50E-GE3

بخش سهام: 76576

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10.5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 380 mOhm @ 6A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SUP90P06-09L-E3
Vishay Siliconix

SUP90P06-09L-E3

بخش سهام: 11931

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 90A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9.3 mOhm @ 30A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFBC40APBF
Vishay Siliconix

IRFBC40APBF

بخش سهام: 35961

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.2A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.2 Ohm @ 3.7A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIHP4N80E-GE3
Vishay Siliconix

SIHP4N80E-GE3

بخش سهام: 5297

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 800V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.3A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.27 Ohm @ 2A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFBE30STRLPBF
Vishay Siliconix

IRFBE30STRLPBF

بخش سهام: 34565

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 800V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.1A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3 Ohm @ 2.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIHD7N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHD7N60E-GE3

بخش سهام: 33162

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF624PBF
Vishay Siliconix

IRF624PBF

بخش سهام: 79176

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 250V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.4A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.1 Ohm @ 2.6A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF830SPBF
Vishay Siliconix

IRF830SPBF

بخش سهام: 39890

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.5 Ohm @ 2.7A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIHP30N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHP30N60E-GE3

بخش سهام: 4593

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 29A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 125 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRL630PBF
Vishay Siliconix

IRL630PBF

بخش سهام: 28303

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 400 mOhm @ 5.4A, 5V,

لیست علاقه مندیها
IRF9Z14PBF
Vishay Siliconix

IRF9Z14PBF

بخش سهام: 72543

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.7A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 500 mOhm @ 4A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFI510GPBF
Vishay Siliconix

IRFI510GPBF

بخش سهام: 37405

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 540 mOhm @ 2.7A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFU420APBF
Vishay Siliconix

IRFU420APBF

بخش سهام: 42120

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.3A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFB9N65APBF
Vishay Siliconix

IRFB9N65APBF

بخش سهام: 23332

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8.5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 930 mOhm @ 5.1A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIHP14N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHP14N60E-GE3

بخش سهام: 28218

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 13A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 309 mOhm @ 7A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFD9220PBF
Vishay Siliconix

IRFD9220PBF

بخش سهام: 54667

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 560mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.5 Ohm @ 340mA, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFIBF20GPBF
Vishay Siliconix

IRFIBF20GPBF

بخش سهام: 24078

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 900V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.2A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8 Ohm @ 720mA, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFU1N60APBF
Vishay Siliconix

IRFU1N60APBF

بخش سهام: 48177

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.4A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7 Ohm @ 840mA, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIHB12N60ET1-GE3
Vishay Siliconix

SIHB12N60ET1-GE3

بخش سهام: 4313

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 380 mOhm @ 6A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIHP16N50C-E3
Vishay Siliconix

SIHP16N50C-E3

بخش سهام: 22735

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 16A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 380 mOhm @ 8A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIHB33N60EF-GE3
Vishay Siliconix

SIHB33N60EF-GE3

بخش سهام: 10290

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 33A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 98 mOhm @ 16.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRLI530GPBF
Vishay Siliconix

IRLI530GPBF

بخش سهام: 34629

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9.7A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 160 mOhm @ 5.8A, 5V,

لیست علاقه مندیها
SIHP22N60AE-GE3
Vishay Siliconix

SIHP22N60AE-GE3

بخش سهام: 17671

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIHA4N80E-GE3
Vishay Siliconix

SIHA4N80E-GE3

بخش سهام: 4358

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 800V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.3A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.27 Ohm @ 2A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIHB35N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHB35N60E-GE3

بخش سهام: 10428

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 32A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 94 mOhm @ 17A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFI9530GPBF
Vishay Siliconix

IRFI9530GPBF

بخش سهام: 38978

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.7A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 300 mOhm @ 4.6A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFBC40LCPBF
Vishay Siliconix

IRFBC40LCPBF

بخش سهام: 15074

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.2A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.2 Ohm @ 3.7A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF630STRRPBF
Vishay Siliconix

IRF630STRRPBF

بخش سهام: 77116

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 400 mOhm @ 5.4A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFR9210PBF
Vishay Siliconix

IRFR9210PBF

بخش سهام: 69100

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.9A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3 Ohm @ 1.1A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF740APBF
Vishay Siliconix

IRF740APBF

بخش سهام: 29433

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 400V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 550 mOhm @ 6A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFD220PBF
Vishay Siliconix

IRFD220PBF

بخش سهام: 66643

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 800mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 800 mOhm @ 480mA, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFI9Z14GPBF
Vishay Siliconix

IRFI9Z14GPBF

بخش سهام: 65760

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.3A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 500 mOhm @ 3.2A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF9Z24SPBF
Vishay Siliconix

IRF9Z24SPBF

بخش سهام: 39856

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 11A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 280 mOhm @ 6.6A, 10V,

لیست علاقه مندیها