Menu
فارسیفارسی
RFQS / سفارش
0RFQS / سفارش

ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک

  • خانه
  •  
  • ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک
SIHA15N50E-E3
Vishay Siliconix

SIHA15N50E-E3

بخش سهام: 30356

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 14.5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 280 mOhm @ 7.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFU9110PBF
Vishay Siliconix

IRFU9110PBF

بخش سهام: 41410

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.1A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.2 Ohm @ 1.9A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIHG25N50E-GE3
Vishay Siliconix

SIHG25N50E-GE3

بخش سهام: 29025

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 26A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 145 mOhm @ 12A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF740BPBF
Vishay Siliconix

IRF740BPBF

بخش سهام: 44136

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 400V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 600 mOhm @ 5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SUP57N20-33-E3
Vishay Siliconix

SUP57N20-33-E3

بخش سهام: 14178

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 57A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 33 mOhm @ 30A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFS11N50ATRRP
Vishay Siliconix

IRFS11N50ATRRP

بخش سهام: 41989

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 11A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 520 mOhm @ 6.6A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFZ48RSPBF
Vishay Siliconix

IRFZ48RSPBF

بخش سهام: 36649

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 43A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFI9520GPBF
Vishay Siliconix

IRFI9520GPBF

بخش سهام: 31709

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.2A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 600 mOhm @ 3.1A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFP048RPBF
Vishay Siliconix

IRFP048RPBF

بخش سهام: 22091

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 70A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 44A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFP064PBF
Vishay Siliconix

IRFP064PBF

بخش سهام: 16756

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 70A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9 mOhm @ 78A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIHG15N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHG15N60E-GE3

بخش سهام: 19956

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 15A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 280 mOhm @ 8A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFIZ14GPBF
Vishay Siliconix

IRFIZ14GPBF

بخش سهام: 40267

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 200 mOhm @ 4.8A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SUA70060E-E3
Vishay Siliconix

SUA70060E-E3

بخش سهام: 39375

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 56.6A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6.1 mOhm @ 30A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFI9634GPBF
Vishay Siliconix

IRFI9634GPBF

بخش سهام: 22202

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 250V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.1A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1 Ohm @ 2.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFPC60LCPBF
Vishay Siliconix

IRFPC60LCPBF

بخش سهام: 12119

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 16A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 400 mOhm @ 9.6A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF9610PBF
Vishay Siliconix

IRF9610PBF

بخش سهام: 46389

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.8A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3 Ohm @ 900mA, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIHW47N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHW47N60E-GE3

بخش سهام: 6854

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 47A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 64 mOhm @ 24A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF620PBF
Vishay Siliconix

IRF620PBF

بخش سهام: 69120

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.2A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 800 mOhm @ 3.1A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFP32N50KPBF
Vishay Siliconix

IRFP32N50KPBF

بخش سهام: 9921

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 32A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 160 mOhm @ 32A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFPF40PBF
Vishay Siliconix

IRFPF40PBF

بخش سهام: 19281

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 900V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.7A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.5 Ohm @ 2.8A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIHG22N50D-E3
Vishay Siliconix

SIHG22N50D-E3

بخش سهام: 16654

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 22A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 230 mOhm @ 11A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFP054PBF
Vishay Siliconix

IRFP054PBF

بخش سهام: 19510

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 70A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 14 mOhm @ 54A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFBE20PBF
Vishay Siliconix

IRFBE20PBF

بخش سهام: 53163

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 800V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.8A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6.5 Ohm @ 1.1A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFPC50APBF
Vishay Siliconix

IRFPC50APBF

بخش سهام: 21119

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 11A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 580 mOhm @ 6A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFIBE20GPBF
Vishay Siliconix

IRFIBE20GPBF

بخش سهام: 22636

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 800V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.4A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6.5 Ohm @ 840mA, 10V,

لیست علاقه مندیها
SUP60030E-GE3
Vishay Siliconix

SUP60030E-GE3

بخش سهام: 21679

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 80V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 120A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.4 mOhm @ 30A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFP9140PBF
Vishay Siliconix

IRFP9140PBF

بخش سهام: 27241

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 21A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 200 mOhm @ 13A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRL640PBF
Vishay Siliconix

IRL640PBF

بخش سهام: 27269

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 17A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 180 mOhm @ 10A, 5V,

لیست علاقه مندیها
SIHG11N80E-GE3
Vishay Siliconix

SIHG11N80E-GE3

بخش سهام: 2666

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 800V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 440 mOhm @ 5.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF620STRRPBF
Vishay Siliconix

IRF620STRRPBF

بخش سهام: 63954

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.2A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 800 mOhm @ 3.1A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SUD80460E-GE3
Vishay Siliconix

SUD80460E-GE3

بخش سهام: 67268

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 150V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 42A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 44.7 mOhm @ 8.3A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFIB5N65APBF
Vishay Siliconix

IRFIB5N65APBF

بخش سهام: 19493

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.1A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 930 mOhm @ 3.1A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFBC40ASTRLPBF
Vishay Siliconix

IRFBC40ASTRLPBF

بخش سهام: 27834

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.2A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.2 Ohm @ 3.7A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFI740GPBF
Vishay Siliconix

IRFI740GPBF

بخش سهام: 27233

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 400V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.4A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 550 mOhm @ 3.2A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFPS37N50APBF
Vishay Siliconix

IRFPS37N50APBF

بخش سهام: 8753

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 36A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 130 mOhm @ 22A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFIBC40GPBF
Vishay Siliconix

IRFIBC40GPBF

بخش سهام: 19520

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.2 Ohm @ 2.1A, 10V,

لیست علاقه مندیها