Menu
فارسیفارسی
RFQS / سفارش
0RFQS / سفارش

ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک

  • خانه
  •  
  • ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک
IPP04CN10NG
Infineon Technologies

IPP04CN10NG

بخش سهام: 471

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.2 mOhm @ 100A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRL3714STRLPBF
Infineon Technologies

IRL3714STRLPBF

بخش سهام: 551

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 36A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 18A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF9540NSPBF
Infineon Technologies

IRF9540NSPBF

بخش سهام: 42892

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 23A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 117 mOhm @ 14A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF8707PBF
Infineon Technologies

IRF8707PBF

بخش سهام: 6128

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 11A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 11.9 mOhm @ 11A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF1310NSTRRPBF
Infineon Technologies

IRF1310NSTRRPBF

بخش سهام: 481

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 42A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 36 mOhm @ 22A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRL3715ZCSTRRP
Infineon Technologies

IRL3715ZCSTRRP

بخش سهام: 505

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRLR7821CTRRPBF
Infineon Technologies

IRLR7821CTRRPBF

بخش سهام: 508

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 65A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF2903ZLPBF
Infineon Technologies

IRF2903ZLPBF

بخش سهام: 601

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 75A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.4 mOhm @ 75A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF6668TRPBF
Infineon Technologies

IRF6668TRPBF

بخش سهام: 74009

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 80V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 55A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 15 mOhm @ 12A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFS17N20DTRLP
Infineon Technologies

IRFS17N20DTRLP

بخش سهام: 593

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 16A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 170 mOhm @ 9.8A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFR4105ZTRLPBF
Infineon Technologies

IRFR4105ZTRLPBF

بخش سهام: 548

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 30A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 24.5 mOhm @ 18A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRLR7833CTRLPBF
Infineon Technologies

IRLR7833CTRLPBF

بخش سهام: 501

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 140A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF7601PBF
Infineon Technologies

IRF7601PBF

بخش سهام: 483

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.7A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 3.8A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
IRL3502STRLPBF
Infineon Technologies

IRL3502STRLPBF

بخش سهام: 561

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 110A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 7V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7 mOhm @ 64A, 7V,

لیست علاقه مندیها
IRFS4410PBF
Infineon Technologies

IRFS4410PBF

بخش سهام: 21326

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 88A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 58A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF2804SPBF
Infineon Technologies

IRF2804SPBF

بخش سهام: 21226

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 75A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2 mOhm @ 75A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFR3704ZTRLPBF
Infineon Technologies

IRFR3704ZTRLPBF

بخش سهام: 555

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 60A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8.4 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF7853PBF
Infineon Technologies

IRF7853PBF

بخش سهام: 48240

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8.3A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 8.3A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF7854PBF
Infineon Technologies

IRF7854PBF

بخش سهام: 526

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 80V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF2903ZSTRRP
Infineon Technologies

IRF2903ZSTRRP

بخش سهام: 509

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 75A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.4 mOhm @ 75A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF3711ZSTRRPBF
Infineon Technologies

IRF3711ZSTRRPBF

بخش سهام: 523

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 92A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF2804STRR7PP
Infineon Technologies

IRF2804STRR7PP

بخش سهام: 573

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 160A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.6 mOhm @ 160A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRL540NSTRL
Infineon Technologies

IRL540NSTRL

بخش سهام: 335

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 36A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 44 mOhm @ 18A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRLR8113TRLPBF
Infineon Technologies

IRLR8113TRLPBF

بخش سهام: 522

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 94A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRLR3410CPBF
Infineon Technologies

IRLR3410CPBF

بخش سهام: 532

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 105 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRLR7843TRRPBF
Infineon Technologies

IRLR7843TRRPBF

بخش سهام: 504

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 161A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.3 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF7702GTRPBF
Infineon Technologies

IRF7702GTRPBF

بخش سهام: 559

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 14 mOhm @ 8A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
IRL8113STRRPBF
Infineon Technologies

IRL8113STRRPBF

بخش سهام: 511

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 105A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 21A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFU1018EPBF
Infineon Technologies

IRFU1018EPBF

بخش سهام: 6067

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 56A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8.4 mOhm @ 47A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF1018ESPBF
Infineon Technologies

IRF1018ESPBF

بخش سهام: 99223

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 79A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8.4 mOhm @ 47A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRL1404ZSPBF
Infineon Technologies

IRL1404ZSPBF

بخش سهام: 59773

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 75A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.1 mOhm @ 75A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF3805L-7PPBF
Infineon Technologies

IRF3805L-7PPBF

بخش سهام: 541

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 160A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.6 mOhm @ 140A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF5305LPBF
Infineon Technologies

IRF5305LPBF

بخش سهام: 588

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 31A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 16A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF8301MTRPBF
Infineon Technologies

IRF8301MTRPBF

بخش سهام: 48676

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 34A (Ta), 192A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.5 mOhm @ 32A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRLR7807ZTRLPBF
Infineon Technologies

IRLR7807ZTRLPBF

بخش سهام: 545

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 43A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 13.8 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF7855PBF
Infineon Technologies

IRF7855PBF

بخش سهام: 38765

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9.4 mOhm @ 12A, 10V,

لیست علاقه مندیها