Menu
فارسیفارسی
RFQS / سفارش
0RFQS / سفارش

ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک

  • خانه
  •  
  • ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک
IRF7601TRPBF
Infineon Technologies

IRF7601TRPBF

بخش سهام: 135832

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.7A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 3.8A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
IPD12CNE8N G
Infineon Technologies

IPD12CNE8N G

بخش سهام: 763

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 85V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 67A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12.4 mOhm @ 67A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFS4615PBF
Infineon Technologies

IRFS4615PBF

بخش سهام: 833

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 150V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 33A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 42 mOhm @ 21A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SPS03N60C3BKMA1
Infineon Technologies

SPS03N60C3BKMA1

بخش سهام: 124014

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.2A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SPB100N03S203T
Infineon Technologies

SPB100N03S203T

بخش سهام: 39342

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3 mOhm @ 80A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IPP100N04S2L03AKSA1
Infineon Technologies

IPP100N04S2L03AKSA1

بخش سهام: 842

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.3 mOhm @ 80A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFH8201TRPBF
Infineon Technologies

IRFH8201TRPBF

بخش سهام: 95587

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 49A (Ta), 100A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 0.95 mOhm @ 50A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IPD50N06S214ATMA1
Infineon Technologies

IPD50N06S214ATMA1

بخش سهام: 826

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 14.4 mOhm @ 32A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IPB08CN10N G
Infineon Technologies

IPB08CN10N G

بخش سهام: 758

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 95A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8.2 mOhm @ 95A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFR4615PBF
Infineon Technologies

IRFR4615PBF

بخش سهام: 95865

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 150V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 33A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 42 mOhm @ 21A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFB4321GPBF
Infineon Technologies

IRFB4321GPBF

بخش سهام: 852

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 150V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 83A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 15 mOhm @ 33A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IPB80N04S204ATMA1
Infineon Technologies

IPB80N04S204ATMA1

بخش سهام: 745

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 80A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.4 mOhm @ 80A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IPI80N03S4L04AKSA1
Infineon Technologies

IPI80N03S4L04AKSA1

بخش سهام: 750

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 80A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.7 mOhm @ 80A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF8252TRPBF
Infineon Technologies

IRF8252TRPBF

بخش سهام: 600

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 25A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.7 mOhm @ 25A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRLB8721PBF
Infineon Technologies

IRLB8721PBF

بخش سهام: 67229

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 62A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8.7 mOhm @ 31A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF7739L1TRPBF
Infineon Technologies

IRF7739L1TRPBF

بخش سهام: 29691

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 46A (Ta), 270A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1 mOhm @ 160A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IPI08CNE8N G
Infineon Technologies

IPI08CNE8N G

بخش سهام: 6123

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 85V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 95A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6.4 mOhm @ 95A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRLS3036-7PPBF
Infineon Technologies

IRLS3036-7PPBF

بخش سهام: 13929

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 240A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.9 mOhm @ 180A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IPU075N03L G
Infineon Technologies

IPU075N03L G

بخش سهام: 817

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.5 mOhm @ 30A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IPP100P03P3L-04
Infineon Technologies

IPP100P03P3L-04

بخش سهام: 793

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.3 mOhm @ 80A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRL100HS121
Infineon Technologies

IRL100HS121

بخش سهام: 13281

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 11A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 42 mOhm @ 6.7A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IPP16CN10LGXKSA1
Infineon Technologies

IPP16CN10LGXKSA1

بخش سهام: 838

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 54A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 15.7 mOhm @ 54A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF7413TRPBF
Infineon Technologies

IRF7413TRPBF

بخش سهام: 174562

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 13A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 7.3A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFR3707ZTRRPBF
Infineon Technologies

IRFR3707ZTRRPBF

بخش سهام: 545

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 56A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9.5 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IPZ65R045C7XKSA1
Infineon Technologies

IPZ65R045C7XKSA1

بخش سهام: 5179

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 46A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 24.9A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRLR8503TRLPBF
Infineon Technologies

IRLR8503TRLPBF

بخش سهام: 563

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 44A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 16 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF2804S-7PPBF
Infineon Technologies

IRF2804S-7PPBF

بخش سهام: 12545

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 160A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.6 mOhm @ 160A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFR3412TRLPBF
Infineon Technologies

IRFR3412TRLPBF

بخش سهام: 572

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 48A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 29A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF6722STR1PBF
Infineon Technologies

IRF6722STR1PBF

بخش سهام: 572

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 13A (Ta), 58A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.3 mOhm @ 13A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFR3706CTRRPBF
Infineon Technologies

IRFR3706CTRRPBF

بخش سهام: 504

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 75A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.8V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFR3418PBF
Infineon Technologies

IRFR3418PBF

بخش سهام: 518

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 80V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 70A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 14 mOhm @ 18A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF6714MTR1PBF
Infineon Technologies

IRF6714MTR1PBF

بخش سهام: 537

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 29A (Ta), 166A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.1 mOhm @ 29A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRLU8743PBF
Infineon Technologies

IRLU8743PBF

بخش سهام: 44169

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 160A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.1 mOhm @ 25A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF3711ZCSTRRP
Infineon Technologies

IRF3711ZCSTRRP

بخش سهام: 571

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 92A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF6620TRPBF
Infineon Technologies

IRF6620TRPBF

بخش سهام: 50617

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 27A (Ta), 150A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.7 mOhm @ 27A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRLR3717TRLPBF
Infineon Technologies

IRLR3717TRLPBF

بخش سهام: 553

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 120A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها