Menu
فارسیفارسی
RFQS / سفارش
0RFQS / سفارش

ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک

  • خانه
  •  
  • ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک
IRF2903ZSPBF
Infineon Technologies

IRF2903ZSPBF

بخش سهام: 523

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 75A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.4 mOhm @ 75A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRLR3802TRLPBF
Infineon Technologies

IRLR3802TRLPBF

بخش سهام: 497

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 84A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8.5 mOhm @ 15A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
IRFR12N25DCPBF
Infineon Technologies

IRFR12N25DCPBF

بخش سهام: 538

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 250V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 14A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 260 mOhm @ 8.4A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFR13N20DCTRRP
Infineon Technologies

IRFR13N20DCTRRP

بخش سهام: 6139

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 13A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 235 mOhm @ 8A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF9520NLPBF
Infineon Technologies

IRF9520NLPBF

بخش سهام: 6132

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.8A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 480 mOhm @ 4A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRLU3114ZPBF
Infineon Technologies

IRLU3114ZPBF

بخش سهام: 6118

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 42A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.9 mOhm @ 42A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF6726MTR1PBF
Infineon Technologies

IRF6726MTR1PBF

بخش سهام: 565

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 32A (Ta), 180A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.7 mOhm @ 32A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFU3710Z-701P
Infineon Technologies

IRFU3710Z-701P

بخش سهام: 6122

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 42A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 33A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFB7545PBF
Infineon Technologies

IRFB7545PBF

بخش سهام: 69099

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 95A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.9 mOhm @ 57A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFR2407TRRPBF
Infineon Technologies

IRFR2407TRRPBF

بخش سهام: 540

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 75V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 42A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 26 mOhm @ 25A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF7492PBF
Infineon Technologies

IRF7492PBF

بخش سهام: 496

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.7A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 79 mOhm @ 2.2A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRL3715ZSTRLPBF
Infineon Technologies

IRL3715ZSTRLPBF

بخش سهام: 594

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF3707ZSTRLP
Infineon Technologies

IRF3707ZSTRLP

بخش سهام: 543

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 59A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9.5 mOhm @ 21A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRL3103PBF
Infineon Technologies

IRL3103PBF

بخش سهام: 55518

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 64A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 34A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFR15N20DTRLP
Infineon Technologies

IRFR15N20DTRLP

بخش سهام: 567

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 17A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 165 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRLL024ZPBF
Infineon Technologies

IRLL024ZPBF

بخش سهام: 96739

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 3A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF3711ZSTRLPBF
Infineon Technologies

IRF3711ZSTRLPBF

بخش سهام: 5640

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 92A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF7805QTRPBF
Infineon Technologies

IRF7805QTRPBF

بخش سهام: 545

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 13A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 7A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
IRF6721STR1PBF
Infineon Technologies

IRF6721STR1PBF

بخش سهام: 6116

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 14A (Ta), 60A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.3 mOhm @ 14A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF1405ZSTRRPBF
Infineon Technologies

IRF1405ZSTRRPBF

بخش سهام: 492

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 75A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.9 mOhm @ 75A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF3704STRRPBF
Infineon Technologies

IRF3704STRRPBF

بخش سهام: 513

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 77A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IPZ60R040C7XKSA1
Infineon Technologies

IPZ60R040C7XKSA1

بخش سهام: 5494

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 24.9A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFR3711ZCTRPBF
Infineon Technologies

IRFR3711ZCTRPBF

بخش سهام: 603

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 93A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.7 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRLR7807ZCTRRP
Infineon Technologies

IRLR7807ZCTRRP

بخش سهام: 513

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 43A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 13.8 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRLR3105TRLPBF
Infineon Technologies

IRLR3105TRLPBF

بخش سهام: 512

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 25A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 37 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFZ48VSTRLPBF
Infineon Technologies

IRFZ48VSTRLPBF

بخش سهام: 554

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 72A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 43A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF60DM206
Infineon Technologies

IRF60DM206

بخش سهام: 56403

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 130A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.9 mOhm @ 80A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF3707ZCSTRLP
Infineon Technologies

IRF3707ZCSTRLP

بخش سهام: 580

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 59A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9.5 mOhm @ 21A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRLR014NTRPBF
Infineon Technologies

IRLR014NTRPBF

بخش سهام: 561

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 140 mOhm @ 6A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRL3715ZCSTRLP
Infineon Technologies

IRL3715ZCSTRLP

بخش سهام: 558

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF7809PBF
Infineon Technologies

IRF7809PBF

بخش سهام: 552

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 28V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 14.5A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V,

لیست علاقه مندیها
IRF3805SPBF
Infineon Technologies

IRF3805SPBF

بخش سهام: 18074

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 75A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.3 mOhm @ 75A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF7946TRPBF
Infineon Technologies

IRF7946TRPBF

بخش سهام: 53209

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 90A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.4 mOhm @ 90A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFS3004TRL7PP
Infineon Technologies

IRFS3004TRL7PP

بخش سهام: 34407

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 240A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.25 mOhm @ 195A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFB4332PBF
Infineon Technologies

IRFB4332PBF

بخش سهام: 17395

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 250V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 60A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 33 mOhm @ 35A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFR13N20DCPBF
Infineon Technologies

IRFR13N20DCPBF

بخش سهام: 6054

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 13A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 235 mOhm @ 8A, 10V,

لیست علاقه مندیها