ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک

خانه
ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک

IPB022N04LGATMA1

Infineon Technologies

IPB022N04LGATMA1

بخش سهام: 1386

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 90A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.2 mOhm @ 90A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRLR2905TRLPBF

بخش سهام: 165150

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 42A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 27 mOhm @ 25A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRFU3607PBF

بخش سهام: 40268

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 75V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 56A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9 mOhm @ 46A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF6898MTR1PBF

بخش سهام: 1392

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 35A (Ta), 213A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.1 mOhm @ 35A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IPI50R299CPXKSA1

Infineon Technologies

IPI50R299CPXKSA1

بخش سهام: 30953

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 299 mOhm @ 6.6A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRFI540NPBF

بخش سهام: 41424

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 52 mOhm @ 11A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRF6894MTR1PBF

بخش سهام: 1349

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 32A (Ta), 160A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.3 mOhm @ 33A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IPD60R520CPBTMA1

Infineon Technologies

IPD60R520CPBTMA1

بخش سهام: 1477

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.8A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 520 mOhm @ 3.8A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IPW65R660CFDFKSA1

Infineon Technologies

IPW65R660CFDFKSA1

بخش سهام: 42282

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 700V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 660 mOhm @ 2.1A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IPI65R420CFDXKSA1

Infineon Technologies

IPI65R420CFDXKSA1

بخش سهام: 64557

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8.7A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 420 mOhm @ 3.4A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IPN70R750P7SATMA1

Infineon Technologies

IPN70R750P7SATMA1

بخش سهام: 9964

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 700V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 750 mOhm @ 1.4A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IPI80N04S4L04AKSA1

Infineon Technologies

IPI80N04S4L04AKSA1

بخش سهام: 96724

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 80A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.3 mOhm @ 80A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IPB052N04NGATMA1

Infineon Technologies

IPB052N04NGATMA1

بخش سهام: 1431

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 70A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.2 mOhm @ 70A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRFB7530PBF

بخش سهام: 22543

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 195A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2 mOhm @ 100A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IPD250N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

IPD250N06N3GBTMA1

بخش سهام: 1440

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 28A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 28A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IPB023N04NGATMA1

Infineon Technologies

IPB023N04NGATMA1

بخش سهام: 6170

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 90A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.3 mOhm @ 90A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IPB110N20N3LFATMA1

Infineon Technologies

IPB110N20N3LFATMA1

بخش سهام: 18377

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 88A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 88A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRLH7134TR2PBF

بخش سهام: 1435

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 26A (Ta), 85A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.3 mOhm @ 50A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRFB7540PBF

بخش سهام: 42181

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 110A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.1 mOhm @ 65A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IPB260N06N3GATMA1

Infineon Technologies

IPB260N06N3GATMA1

بخش سهام: 1437

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 27A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 25.7 mOhm @ 27A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IPD068P03L3GBTMA1

Infineon Technologies

IPD068P03L3GBTMA1

بخش سهام: 1389

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 70A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6.8 mOhm @ 70A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IPA65R600C6XKSA1

Infineon Technologies

IPA65R600C6XKSA1

بخش سهام: 76264

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.3A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 600 mOhm @ 2.1A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRFR48ZTRLPBF

بخش سهام: 132108

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 42A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 37A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IPP65R380C6XKSA1

Infineon Technologies

IPP65R380C6XKSA1

بخش سهام: 59867

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10.6A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 380 mOhm @ 3.2A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IPD60R520C6BTMA1

Infineon Technologies

IPD60R520C6BTMA1

بخش سهام: 1417

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8.1A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 520 mOhm @ 2.8A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IPB093N04LGATMA1

Infineon Technologies

IPB093N04LGATMA1

بخش سهام: 1417

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9.3 mOhm @ 50A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IPI50R250CPXKSA1

Infineon Technologies

IPI50R250CPXKSA1

بخش سهام: 48805

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 13A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 250 mOhm @ 7.8A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IPB65R280C6ATMA1

Infineon Technologies

IPB65R280C6ATMA1

بخش سهام: 56772

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 13.8A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 280 mOhm @ 4.4A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IPB65R190C6ATMA1

Infineon Technologies

IPB65R190C6ATMA1

بخش سهام: 45430

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20.2A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 190 mOhm @ 7.3A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IPB020N08N5ATMA1

Infineon Technologies

IPB020N08N5ATMA1

بخش سهام: 33910

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 80V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 120A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2 mOhm @ 100A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IPP100N04S4H2AKSA1

Infineon Technologies

IPP100N04S4H2AKSA1

بخش سهام: 80220

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.7 mOhm @ 100A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IPB60R520CPATMA1

Infineon Technologies

IPB60R520CPATMA1

بخش سهام: 6152

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.8A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 520 mOhm @ 3.8A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IPN95R3K7P7ATMA1

Infineon Technologies

IPN95R3K7P7ATMA1

بخش سهام: 9929

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 950V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.7 Ohm @ 800mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IPB097N08N3 G

بخش سهام: 1439

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 80V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 70A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9.7 mOhm @ 46A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Infineon Technologies

IRFSL4410ZPBF

بخش سهام: 23253

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 97A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9 mOhm @ 58A, 10V,

لیست علاقه مندیها

IPB65R420CFDATMA1

Infineon Technologies

IPB65R420CFDATMA1

بخش سهام: 1398

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8.7A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 420 mOhm @ 3.4A, 10V,

لیست علاقه مندیها

3600

«
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
»