نوع | شرح |
وضعیت قطعه | Obsolete |
---|---|
نوع FET | N-Channel |
فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) |
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 25V |
جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد | 35A (Ta), 213A (Tc) |
ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id، Vgs | 1.1 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (th) (حداکثر) @ Id | 2.1V @ 100µA |
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 62nC @ 4.5V |
Vgs (حداکثر) | ±16V |
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 5435pF @ 13V |
ویژگی FET | Schottky Diode (Body) |
اتلاف انرژی (حداکثر) | 2.1W (Ta), 78W (Tc) |
دمای کار | -40°C ~ 150°C (TJ) |
نوع نصب | Surface Mount |
بسته دستگاه تأمین کننده | DIRECTFET™ MX |
بسته بندی / مورد | DirectFET™ Isometric MX |
وضعیت RoHS | Rohs سازگار است |
---|---|
سطح حساسیت رطوبت (MSL) | قابل اجرا نیست |
وضعیت چرخه عمر | منسوخ / پایان زندگی |
دسته سهام | ذخیره موجود |