ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک

IPD60R600CPBTMA1

IPD60R600CPBTMA1

بخش سهام: 1413

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.1A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 600 mOhm @ 3.3A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFTS8342TRPBF

IRFTS8342TRPBF

بخش سهام: 166278

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8.2A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 8.2A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IPD100N06S403ATMA1

IPD100N06S403ATMA1

بخش سهام: 1215

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.5 mOhm @ 100A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IPB136N08N3 G

IPB136N08N3 G

بخش سهام: 1431

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 80V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 45A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 13.6 mOhm @ 45A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IPB075N04LGATMA1

IPB075N04LGATMA1

بخش سهام: 1413

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.5 mOhm @ 50A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IPW65R190E6FKSA1

IPW65R190E6FKSA1

بخش سهام: 24493

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20.2A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 190 mOhm @ 7.3A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFU3410PBF

IRFU3410PBF

بخش سهام: 56427

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 31A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 39 mOhm @ 18A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IPD90N06S407ATMA1

IPD90N06S407ATMA1

بخش سهام: 891

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 90A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6.9 mOhm @ 90A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF6633ATRPBF

IRF6633ATRPBF

بخش سهام: 6141

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 16A (Ta), 69A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.6 mOhm @ 16A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IPI80N06S4L07AKSA1

IPI80N06S4L07AKSA1

بخش سهام: 907

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 80A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6.7 mOhm @ 80A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IPI120N06S4H1AKSA1

IPI120N06S4H1AKSA1

بخش سهام: 947

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 120A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.4 mOhm @ 100A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF8252PBF

IRF8252PBF

بخش سهام: 986

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 25A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.7 mOhm @ 25A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRLHM630TR2PBF

IRLHM630TR2PBF

بخش سهام: 1013

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 21A (Ta), 40A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
IPZ60R017C7XKSA1

IPZ60R017C7XKSA1

بخش سهام: 4002

لیست علاقه مندیها
IRLR8259PBF

IRLR8259PBF

بخش سهام: 6125

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 57A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8.7 mOhm @ 21A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFH8325TR2PBF

IRFH8325TR2PBF

بخش سهام: 1161

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 21A (Ta), 82A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF7799L2TR1PBF

IRF7799L2TR1PBF

بخش سهام: 837

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 250V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 375A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 38 mOhm @ 21A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFH5250DTR2PBF

IRFH5250DTR2PBF

بخش سهام: 889

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 40A (Ta), 100A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.4 mOhm @ 50A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFH5302TR2PBF

IRFH5302TR2PBF

بخش سهام: 875

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 32A (Ta), 100A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.1 mOhm @ 50A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFH5210TR2PBF

IRFH5210TR2PBF

بخش سهام: 912

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A (Ta), 55A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 14.9 mOhm @ 33A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IPI126N10N3 G

IPI126N10N3 G

بخش سهام: 904

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 58A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12.6 mOhm @ 46A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF3610SPBF

IRF3610SPBF

بخش سهام: 1122

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 103A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 11.6 mOhm @ 62A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRLML6402GTRPBF

IRLML6402GTRPBF

بخش سهام: 117752

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.7A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 65 mOhm @ 3.7A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
IPP80N06S4L07AKSA1

IPP80N06S4L07AKSA1

بخش سهام: 942

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 80A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6.7 mOhm @ 80A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRLU8729-701PBF

IRLU8729-701PBF

بخش سهام: 904

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 58A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8.9 mOhm @ 25A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFI4121H-117P

IRFI4121H-117P

بخش سهام: 994

لیست علاقه مندیها
IRFU220NPBF

IRFU220NPBF

بخش سهام: 77094

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 600 mOhm @ 2.9A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF5800TRPBF

IRF5800TRPBF

بخش سهام: 5650

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 85 mOhm @ 4A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFH5301TR2PBF

IRFH5301TR2PBF

بخش سهام: 6182

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 35A (Ta), 100A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.85 mOhm @ 50A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IPD200N15N3GBTMA1

IPD200N15N3GBTMA1

بخش سهام: 841

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 150V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 50A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IPB45N06S409ATMA1

IPB45N06S409ATMA1

بخش سهام: 970

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 45A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9.1 mOhm @ 45A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF6614TR1PBF

IRF6614TR1PBF

بخش سهام: 948

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12.7A (Ta), 55A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8.3 mOhm @ 12.7A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRFB3806PBF

IRFB3806PBF

بخش سهام: 67807

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 43A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 15.8 mOhm @ 25A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRLR024ZTRPBF

IRLR024ZTRPBF

بخش سهام: 910

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 55V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 16A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 58 mOhm @ 9.6A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IPW90R120C3FKSA1

IPW90R120C3FKSA1

بخش سهام: 1073

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 900V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 36A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V,

لیست علاقه مندیها
IRF6644

IRF6644

بخش سهام: 956

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10.3A (Ta), 60A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 13 mOhm @ 10.3A, 10V,

لیست علاقه مندیها