ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - آرایه ها

AO4806L

بخش سهام: 2910

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 14 mOhm @ 9.4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

AO4803L

بخش سهام: 2914

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 52 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AO4805L_101

بخش سهام: 2939

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.8V @ 250µA,

AO4803AL

بخش سهام: 2963

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 46 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AO4801L

بخش سهام: 2906

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.3V @ 250µA,

AO4801AS

بخش سهام: 2971

AO4801AL

بخش سهام: 2897

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.3V @ 250µA,

AO4801AL_001

بخش سهام: 2928

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.3V @ 250µA,

AO4800L

بخش سهام: 2903

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 27 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

AO4616L_102

بخش سهام: 3349

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, 7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AO4614B_101

بخش سهام: 2973

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A, 5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

AO4614BL_103

بخش سهام: 2888

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A, 5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

AO4613_001

بخش سهام: 2944

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 7.2A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

AON6971

بخش سهام: 2884

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 23A, 40A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.7 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AO4952

بخش سهام: 190149

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 11A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10.5 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AOC2800

بخش سهام: 2871

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate,

AON6974A

بخش سهام: 2934

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 22A, 30A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AON6970

بخش سهام: 2849

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 24A, 42A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.4 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.3V @ 250µA,

AON6928

بخش سهام: 2893

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 17A, 30A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AON2809

بخش سهام: 2941

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 68 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 900mV @ 250µA,

AON6973A

بخش سهام: 2858

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 22A, 30A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AON7826

بخش سهام: 2861

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 23 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.1V @ 250µA,

AO5803E

بخش سهام: 2874

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 800 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 900mV @ 250µA,

AO5800E

بخش سهام: 2920

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.6 Ohm @ 400mA, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AO5600E

بخش سهام: 2939

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 600mA, 500mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 650 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

AO4618

بخش سهام: 192153

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, 7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AON6974

بخش سهام: 2877

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 22A, 30A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AON6936

بخش سهام: 2917

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 22A, 40A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.9 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AON6938

بخش سهام: 2882

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 17A, 33A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AO6801E

بخش سهام: 2875

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 110 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

AON3613

بخش سهام: 2846

نوع FET: N and P-Channel, Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 52 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

AON7902

بخش سهام: 2909

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, 13A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.3V @ 250µA,

AON7820

بخش سهام: 2905

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

AON6922

بخش سهام: 2854

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 18A, 31A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.8 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.7V @ 250µA,

AON6918

بخش سهام: 2899

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 15A, 26.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.3V @ 250µA,

AON6910A

بخش سهام: 2864

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9.1A, 16A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 14 mOhm @ 9.1A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 250µA,