ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - آرایه ها

AO4828

بخش سهام: 197

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

AOE6936

بخش سهام: 241

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 55A (Tc), 85A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V, 2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.1V @ 250µA,

AO4862

بخش سهام: 168294

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AON4803

بخش سهام: 144807

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

AO8810

بخش سهام: 162690

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.1V @ 250µA,

AON6996

بخش سهام: 180862

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50A, 60A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AON6850

بخش سهام: 99071

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 250µA,

AO4614A

بخش سهام: 181100

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A, 5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 31 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

AO6602L

بخش سهام: 108988

نوع FET: N and P-Channel Complementary, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 75 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

AOC3868

بخش سهام: 244

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Standard, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.1V @ 250µA,

AOE6922

بخش سهام: 231

AO8822

بخش سهام: 186647

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

AO6800

بخش سهام: 191185

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

AON6884

بخش سهام: 154901

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 11.3 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.7V @ 250µA,

AO8820

بخش سهام: 194644

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 21 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.1V @ 250µA,

AON2803

بخش سهام: 190228

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 70 mOhm @ 3.8A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

AON2812

بخش سهام: 146110

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 37 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.4V @ 250µA,

AON6946

بخش سهام: 113613

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 14A, 18A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 11.6 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AON6980

بخش سهام: 189812

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 18A, 27A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6.8 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AO4818B

بخش سهام: 190375

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AO4629

بخش سهام: 106543

نوع FET: N and P-Channel, Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A, 5.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AON6998

بخش سهام: 176831

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 19A, 26A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AO8801A

بخش سهام: 122683

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 42 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 900mV @ 250µA,

AOC2806

بخش سهام: 159850

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Standard,

AON3611

بخش سهام: 113670

نوع FET: N and P-Channel, Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A, 6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AO4801A

بخش سهام: 131073

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.3V @ 250µA,

AO4620

بخش سهام: 151361

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 7.2A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.6V @ 250µA,

AON7934

بخش سهام: 197337

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 13A, 15A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10.2 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AON6812

بخش سهام: 158569

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 27A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AOC3862

بخش سهام: 261

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Standard, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.25V @ 250µA,

AO4822A

بخش سهام: 149283

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AONY36352

بخش سهام: 235

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 18.5A (Ta), 49A (Tc), 30A (Ta), 85A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.3 mOhm @ 20A, 10V, 2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA,

AO6804A

بخش سهام: 194771

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 28 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

AON2802

بخش سهام: 116176

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

AON6932

بخش سهام: 152911

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 22A, 36A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AO4806

بخش سهام: 119746

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 14 mOhm @ 9.4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,