ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - آرایه ها

AON5820_101

AON5820_101

بخش سهام: 2917

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9.5 mOhm @ 10A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
AON4605_001

AON4605_001

بخش سهام: 2976

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.3A, 3.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
AON3816_101

AON3816_101

بخش سهام: 2894

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 22 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
AON2801L#A

AON2801L#A

بخش سهام: 2910

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 120 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
AO8822#A

AO8822#A

بخش سهام: 2896

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
AO9926BL

AO9926BL

بخش سهام: 2902

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 23 mOhm @ 7.6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
AO8814#A

AO8814#A

بخش سهام: 3370

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 16 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
AO8810#A

AO8810#A

بخش سهام: 2910

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
AO8804_100

AO8804_100

بخش سهام: 2966

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 13 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
AO8801L

AO8801L

بخش سهام: 2934

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 42 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
AO6808_101

AO6808_101

بخش سهام: 2934

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 23 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
AO6804A_101

AO6804A_101

بخش سهام: 2888

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 28 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
AO6800L_003

AO6800L_003

بخش سهام: 2966

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
AO6802L_001

AO6802L_001

بخش سهام: 3346

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
AO6601_001

AO6601_001

بخش سهام: 2917

نوع FET: N and P-Channel Complementary, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.4A, 2.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
AO4924L

AO4924L

بخش سهام: 2906

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 15.8 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
AO4914L

AO4914L

بخش سهام: 2904

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 20.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
AO4914_101

AO4914_101

بخش سهام: 2904

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 20.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
AO4884L_001

AO4884L_001

بخش سهام: 2962

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.7V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
AO4852L

AO4852L

بخش سهام: 2894

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.6V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
AO4854L_102

AO4854L_102

بخش سهام: 2971

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
AO4850L

AO4850L

بخش سهام: 2977

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 75V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 130 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
AO4842L

AO4842L

بخش سهام: 2887

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.6V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
AO4828L

AO4828L

بخش سهام: 2944

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
AO4830L

AO4830L

بخش سهام: 2941

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 80V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 75 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 5V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
AO4822L_101

AO4822L_101

بخش سهام: 2926

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
AO4822AL

AO4822AL

بخش سهام: 2937

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
AO4822AL_102

AO4822AL_102

بخش سهام: 2930

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
AO4821L

AO4821L

بخش سهام: 2889

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 9A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 850mV @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
AO4822_101

AO4822_101

بخش سهام: 2919

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
AO4818BL_101

AO4818BL_101

بخش سهام: 2886

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
AO4818L

AO4818L

بخش سهام: 2884

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
AO4812L_101

AO4812L_101

بخش سهام: 2974

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
AO4812L

AO4812L

بخش سهام: 2904

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
AO4812_101

AO4812_101

بخش سهام: 2947

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها
AO4807L

AO4807L

بخش سهام: 2938

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 250µA,

لیست علاقه مندیها