ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - آرایه ها

AON2810

بخش سهام: 115713

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 44 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.4V @ 250µA,

AO6802

بخش سهام: 113666

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AON5820

بخش سهام: 177428

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9.5 mOhm @ 10A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

AON6934

بخش سهام: 185097

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 22A, 30A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AO4884

بخش سهام: 124312

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.7V @ 250µA,

AO9926B

بخش سهام: 120793

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 23 mOhm @ 7.6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.1V @ 250µA,

AO6601

بخش سهام: 110328

نوع FET: N and P-Channel Complementary, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.4A, 2.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

AO8801AL

بخش سهام: 3040

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 42 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 900mV @ 250µA,

AO4611

بخش سهام: 164048

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 6.3A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

AO4807

بخش سهام: 101238

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AON7810

بخش سهام: 162685

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 14 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.3V @ 250µA,

AON6816

بخش سهام: 188992

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 17A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6.2 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AO7801

بخش سهام: 167978

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 520 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 900mV @ 250µA,

AO4842

بخش سهام: 129329

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.6V @ 250µA,

AO6602_DELTA

بخش سهام: 2963

نوع FET: N and P-Channel Complementary, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.5A (Ta), 2.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V, 100 mOhm @ 2.7A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA, 2.4V @ 250µA,

AOC3870A

بخش سهام: 2965

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 22A (Ta), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.7 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.1V @ 250µA,

AO4813L

بخش سهام: 3042

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.7V @ 250µA,

AO4818BL

بخش سهام: 2997

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AON6884L

بخش سهام: 3348

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 11.3 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.7V @ 250µA,

AO8804L

بخش سهام: 2971

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 13 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

AON7804_102

بخش سهام: 3350

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AO6604L_001

بخش سهام: 3006

نوع FET: N and P-Channel Complementary, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.4A, 2.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

AO4801HL

بخش سهام: 2966

AO4807_101

بخش سهام: 2977

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AO3415B

بخش سهام: 2994

AOC3870

بخش سهام: 2989

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 25A (Ta), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.8 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.1V @ 250µA,

AOC3860A

بخش سهام: 3008

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 25A (Ta), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.5 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

AON6978

بخش سهام: 167457

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A, 28A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.7 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AOC4810

بخش سهام: 3009

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate,

AO5804E

بخش سهام: 3032

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 500mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 550 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

AO4850

بخش سهام: 2967

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 75V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 130 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

AON3814L

بخش سهام: 3020

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 17 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.1V @ 250µA,

AON5802BL

بخش سهام: 2948

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

AO6800L

بخش سهام: 2951

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

AO6601L

بخش سهام: 2994

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.4A (Ta), 2.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 3A, 10V, 135 mOhm @ 2.3A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.4V @ 250µA,

AO4840L

بخش سهام: 2989

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 31 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,