Menu
فارسیفارسی
RFQS / سفارش
0RFQS / سفارش

ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک

  • خانه
  •  
  • ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک
DMP4015SSSQ-13
Diodes Incorporated

DMP4015SSSQ-13

بخش سهام: 179528

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9.1A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 9.8A, 10V,

لیست علاقه مندیها
DMN63D1L-13
Diodes Incorporated

DMN63D1L-13

بخش سهام: 133502

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 380mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها
DMN1008UFDF-13
Diodes Incorporated

DMN1008UFDF-13

بخش سهام: 21539

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12.2A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 5A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
DMN65D8LQ-13
Diodes Incorporated

DMN65D8LQ-13

بخش سهام: 133466

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 310mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3 Ohm @ 115mA, 10V,

لیست علاقه مندیها
DMP6023LE-13
Diodes Incorporated

DMP6023LE-13

بخش سهام: 118375

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7A (Ta), 18.2A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 28 mOhm @ 5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
DMP2021UFDE-13
Diodes Incorporated

DMP2021UFDE-13

بخش سهام: 178239

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 11.1A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 16 mOhm @ 7A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
ZVP3306A
Diodes Incorporated

ZVP3306A

بخش سهام: 104669

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 160mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

لیست علاقه مندیها
ZXMN6A11GTA
Diodes Incorporated

ZXMN6A11GTA

بخش سهام: 144705

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.1A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
DMP2078LCA3-7
Diodes Incorporated

DMP2078LCA3-7

بخش سهام: 21525

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.4A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 8V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 78 mOhm @ 500mA, 8V,

لیست علاقه مندیها
DMP21D5UFD-7
Diodes Incorporated

DMP21D5UFD-7

بخش سهام: 129814

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 600mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1 Ohm @ 100mA, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
DMT5015LFDF-13
Diodes Incorporated

DMT5015LFDF-13

بخش سهام: 193903

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9.1A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 15 mOhm @ 8A, 10V,

لیست علاقه مندیها
ZVP4424GTA
Diodes Incorporated

ZVP4424GTA

بخش سهام: 140930

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 240V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 480mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 3.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9 Ohm @ 200mA, 10V,

لیست علاقه مندیها
DMN15H310SE-13
Diodes Incorporated

DMN15H310SE-13

بخش سهام: 144145

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 150V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2A (Ta), 7.1A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 310 mOhm @ 1.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
ZVP2110GTA
Diodes Incorporated

ZVP2110GTA

بخش سهام: 148022

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 310mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8 Ohm @ 375mA, 10V,

لیست علاقه مندیها
DMN601WKQ-13
Diodes Incorporated

DMN601WKQ-13

بخش سهام: 106529

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها
DMP31D0UFB4-7B
Diodes Incorporated

DMP31D0UFB4-7B

بخش سهام: 190747

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 540mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1 Ohm @ 400mA, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
DMP2045U-7
Diodes Incorporated

DMP2045U-7

بخش سهام: 24343

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.3A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 4A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
DMP4065SQ-7
Diodes Incorporated

DMP4065SQ-7

بخش سهام: 24380

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.4A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 4.2A, 10V,

لیست علاقه مندیها
DMP31D0U-7
Diodes Incorporated

DMP31D0U-7

بخش سهام: 103422

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 530mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1 Ohm @ 400mA, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
ZXMN2A14FTA
Diodes Incorporated

ZXMN2A14FTA

بخش سهام: 197638

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.4A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
ZXMN6A09KTC
Diodes Incorporated

ZXMN6A09KTC

بخش سهام: 21559

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.7A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 7.3A, 10V,

لیست علاقه مندیها
DMN6040SSS-13
Diodes Incorporated

DMN6040SSS-13

بخش سهام: 159417

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.5A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 4.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
DMN2990UFO-7B
Diodes Incorporated

DMN2990UFO-7B

بخش سهام: 21563

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 750mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
VN10LP
Diodes Incorporated

VN10LP

بخش سهام: 97708

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 270mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها
DMN53D0L-13
Diodes Incorporated

DMN53D0L-13

بخش سهام: 198739

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 500mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها
DMN13H750S-7
Diodes Incorporated

DMN13H750S-7

بخش سهام: 103087

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 130V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 750 mOhm @ 2A, 10V,

لیست علاقه مندیها
DMP32D5SFB-7B
Diodes Incorporated

DMP32D5SFB-7B

بخش سهام: 128189

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 400mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.4 Ohm @ 200mA, 10V,

لیست علاقه مندیها
ZXMN6A07ZTA
Diodes Incorporated

ZXMN6A07ZTA

بخش سهام: 186252

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.9A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 250 mOhm @ 1.8A, 10V,

لیست علاقه مندیها
ZVP4525GTA
Diodes Incorporated

ZVP4525GTA

بخش سهام: 151675

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 250V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 265mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 3.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

لیست علاقه مندیها
DMN67D8L-7
Diodes Incorporated

DMN67D8L-7

بخش سهام: 111371

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 210mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها
DMG6402LVT-7
Diodes Incorporated

DMG6402LVT-7

بخش سهام: 139093

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 7A, 10V,

لیست علاقه مندیها
DMN62D1SFB-7B
Diodes Incorporated

DMN62D1SFB-7B

بخش سهام: 106857

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 410mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.4 Ohm @ 40mA, 10V,

لیست علاقه مندیها
DMP58D0LFB-7
Diodes Incorporated

DMP58D0LFB-7

بخش سهام: 174157

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 180mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8 Ohm @ 100mA, 5V,

لیست علاقه مندیها
ZXMN10B08E6TA
Diodes Incorporated

ZXMN10B08E6TA

بخش سهام: 135134

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.6A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.3V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 230 mOhm @ 1.6A, 10V,

لیست علاقه مندیها
DI9405T
Diodes Incorporated

DI9405T

بخش سهام: 5905

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.3A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 2A, 10V,

لیست علاقه مندیها
DMP56D0UFB-7B
Diodes Incorporated

DMP56D0UFB-7B

بخش سهام: 150649

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 200mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 4V,

لیست علاقه مندیها