ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک | محصولات نیمه هادی گسسته | 40

ZVP3306ASTOB

بخش سهام: 9834

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 160mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZXM41N10FTC

بخش سهام: 9828

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 170mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 3V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZXMN2A03E6TC

بخش سهام: 9834

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.7A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 7.2A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVN4306AVSTOA

بخش سهام: 9787

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.1A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVN3306ASTOB

بخش سهام: 9816

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 270mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVN0124ASTZ

بخش سهام: 9848

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 240V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 160mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 16 Ohm @ 250mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

VN10LPSTOB

بخش سهام: 9775

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 270mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVN4525E6TC

بخش سهام: 9863

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 250V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 230mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.4V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8.5 Ohm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVN2106GTC

بخش سهام: 9859

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 710mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVP3310ASTOB

بخش سهام: 9855

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 140mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 20 Ohm @ 150mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVP2106GTC

بخش سهام: 9854

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 450mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVP1320ASTOA

بخش سهام: 9851

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 70mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 80 Ohm @ 50mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZXM64P03XTC

بخش سهام: 9830

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.8A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 75 mOhm @ 2.4A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVN4424GTC

بخش سهام: 9856

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 240V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 500mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.5 Ohm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVP4424ASTOA

بخش سهام: 9877

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 240V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 200mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 3.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9 Ohm @ 200mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVP2120ASTOA

بخش سهام: 9827

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 120mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 25 Ohm @ 150mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

VN10LPSTOA

بخش سهام: 9826

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 270mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZXM64N02XTC

بخش سهام: 9819

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.4A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 3.8A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVP0120AS

بخش سهام: 9888

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 110mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 32 Ohm @ 125mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVNL120C

بخش سهام: 9887

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 180mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 3V, 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVN1409ASTOA

بخش سهام: 9835

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 90V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 250 Ohm @ 5mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVN4310ASTOB

بخش سهام: 9846

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 900mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 500 mOhm @ 3A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVP2106AS

بخش سهام: 9893

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 280mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVNL110ASTOA

بخش سهام: 9845

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 320mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMN2230U-7

بخش سهام: 112687

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 110 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMN3730UFB-7

بخش سهام: 194722

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 750mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 460 mOhm @ 200mA, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMT6009LFG-7

بخش سهام: 158562

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 11A (Ta), 34A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 13.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMP2008UFG-13

بخش سهام: 130618

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 14A (Ta), 54A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 12A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMT3020LFDF-7

بخش سهام: 195496

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8.4A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 17 mOhm @ 9A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVN4424ZTA

بخش سهام: 9538

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 240V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 300mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.5 Ohm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMP2130L-7

بخش سهام: 189041

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 75 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVP2106ASTZ

بخش سهام: 190262

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 280mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMN3026LVT-7

بخش سهام: 180476

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.6A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 23 mOhm @ 6.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMN1032UCB4-7

بخش سهام: 168709

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.8A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 26 mOhm @ 1A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMN3016LFDF-7

بخش سهام: 135440

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 11A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

DMN2230UQ-7

بخش سهام: 144195

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 110 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها