ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک | محصولات نیمه هادی گسسته | 40

ZVN0545GTC

بخش سهام: 6034

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 450V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 140mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 Ohm @ 100mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVNL120GTC

بخش سهام: 9865

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 320mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 3V, 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVN4210GTC

بخش سهام: 9792

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 800mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.5 Ohm @ 1.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVP4105ASTOA

بخش سهام: 9897

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 175mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVP1320FTC

بخش سهام: 9890

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 35mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 80 Ohm @ 50mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZXM64P02XTC

بخش سهام: 9847

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.5A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVNL120CSTOA

بخش سهام: 9886

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 180mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 3V, 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVN0124ASTOA

بخش سهام: 9873

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 240V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 160mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 16 Ohm @ 250mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVP0545ASTOB

بخش سهام: 9872

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 450V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 45mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 150 Ohm @ 50mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVN0124Z

بخش سهام: 9869

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 240V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 160mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 16 Ohm @ 250mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZXM61P02FTC

بخش سهام: 9856

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 900mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 600 mOhm @ 610mA, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZXM62N03GTA

بخش سهام: 198171

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.4A (Ta), 4.7A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 110 mOhm @ 2.2A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVN4310ASTZ

بخش سهام: 9869

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 900mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 500 mOhm @ 3A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVP4424ASTOB

بخش سهام: 9798

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 240V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 200mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 3.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9 Ohm @ 200mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZXMN3A01E6TC

بخش سهام: 9848

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.4A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZXMN3A03E6TC

بخش سهام: 9886

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.7A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 7.8A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVP2106ASTOB

بخش سهام: 9876

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 280mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZXM61P03FTC

بخش سهام: 6070

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.1A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 350 mOhm @ 600mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVN4306ASTZ

بخش سهام: 9824

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.1A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZXMP10A17GTA

بخش سهام: 9879

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.7A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 350 mOhm @ 1.4A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZXMN3B04N8TC

بخش سهام: 9898

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.2A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 7.2A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVN3320ASTZ

بخش سهام: 9864

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZXMN6A07FTC

بخش سهام: 9807

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.2A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 250 mOhm @ 1.8A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVN0540ASTZ

بخش سهام: 9778

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 400V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 90mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 Ohm @ 100mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVN3320FTC

بخش سهام: 9845

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 60mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVNL120ASTOB

بخش سهام: 9808

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 180mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 3V, 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVN4106FTC

بخش سهام: 9807

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 200mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.5 Ohm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVN1409ASTZ

بخش سهام: 9868

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 90V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 250 Ohm @ 5mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVN2120ASTOA

بخش سهام: 6009

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 180mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZXMNS3BM832TA

بخش سهام: 9863

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVN4306GTC

بخش سهام: 6072

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.1A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVN0124ZSTOA

بخش سهام: 9803

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 240V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 160mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 16 Ohm @ 250mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVN4306AVSTOB

بخش سهام: 9875

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.1A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVN1409ASTOB

بخش سهام: 9853

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 90V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 250 Ohm @ 5mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVN4210ASTOB

بخش سهام: 9809

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 450mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.5 Ohm @ 1.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

ZVNL110GTC

بخش سهام: 9813

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 600mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها