ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک

خانه
ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک

Diodes Incorporated

2N7002TQ-7-F

بخش سهام: 123934

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 115mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 13.5 Ohm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

2N7002AQ-13

بخش سهام: 124993

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 180mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 115mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

2N7002H-13

بخش سهام: 145205

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 170mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

2N7002WKX-7

بخش سهام: 2391

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 115mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

2N7002WKX-13

بخش سهام: 2390

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 115mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

2N7002H-7

بخش سهام: 168572

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 170mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

2N7002TC

بخش سهام: 9841

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 115mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

2N7002AQ-7

بخش سهام: 104068

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 180mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 115mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

2N7002T-7

بخش سهام: 9281

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 115mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

2N7002W-7

بخش سهام: 8910

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 115mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

2N7002-7

بخش سهام: 8915

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 115mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

2N7002TA

بخش سهام: 8894

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 115mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

2N7002E-7-F

بخش سهام: 151296

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 250mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3 Ohm @ 250mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

2N7002W-7-F

بخش سهام: 152407

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 115mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

2N7002A-7

بخش سهام: 162377

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 180mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6 Ohm @ 115mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

2N7002T-7-F

بخش سهام: 151684

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 115mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

2N7002-7-F

بخش سهام: 150809

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 115mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

2N7002K-7

بخش سهام: 148092

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 380mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

BSP75GQTC

بخش سهام: 128

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.6A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 550 mOhm @ 700mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

BSS84WQ-7-F

بخش سهام: 189691

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 130mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

BSS138K-13

بخش سهام: 222

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 310mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

BS870Q-7-F

بخش سهام: 167

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 250mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

BSS138Q-7-F

بخش سهام: 158861

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 200mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

BSP75GQTA

بخش سهام: 257

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.6A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 550 mOhm @ 700mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

BS107PSTZ

بخش سهام: 8684

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 120mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.6V, 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 30 Ohm @ 100mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

BS170PSTOB

بخش سهام: 1924

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 270mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

BS250FTC

بخش سهام: 1584

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 45V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 90mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

BSN20Q-7

بخش سهام: 146657

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 500mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.8 Ohm @ 220mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

BS170P

بخش سهام: 82285

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 270mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

BSS84TC

بخش سهام: 9817

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 130mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

BSS138TC

بخش سهام: 9851

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 200mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

BSS123TC

بخش سهام: 9842

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 170mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

BSS123ATC

بخش سهام: 9832

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 170mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

BS250PSTZ

بخش سهام: 9799

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 45V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 230mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

BS250PSTOB

بخش سهام: 9856

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 45V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 230mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Diodes Incorporated

BS170PSTOA

بخش سهام: 9792

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 270mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

1420

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»