Menu
فارسیفارسی
RFQS / سفارش
0RFQS / سفارش

ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک

  • خانه
  •  
  • ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک
TK15S04N1L,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK15S04N1L,LQ

بخش سهام: 110924

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 15A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 17.8 mOhm @ 7.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
TK5P50D(T6RSS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK5P50D(T6RSS-Q)

بخش سهام: 127525

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
TPH2010FNH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH2010FNH,L1Q

بخش سهام: 117809

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 250V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.6A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 198 mOhm @ 2.8A, 10V,

لیست علاقه مندیها
TPH1110ENH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH1110ENH,L1Q

بخش سهام: 110777

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.2A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 114 mOhm @ 3.6A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SSM3K35CTC,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K35CTC,L3F

بخش سهام: 122010

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 250mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
TK20S06K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK20S06K3L(T6L1,NQ

بخش سهام: 135950

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 29 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها
TPC8133,LQ(S
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8133,LQ(S

بخش سهام: 142820

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 15 mOhm @ 4.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
TPH7R006PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH7R006PL,L1Q

بخش سهام: 145095

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 60A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
TK60P03M1,RQ(S
Toshiba Semiconductor and Storage

TK60P03M1,RQ(S

بخش سهام: 152903

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 60A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6.4 mOhm @ 30A, 10V,

لیست علاقه مندیها
TK80S06K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK80S06K3L(T6L1,NQ

بخش سهام: 78944

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 80A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.5 mOhm @ 40A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SSM3K339R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K339R,LF

بخش سهام: 190791

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 8V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 185 mOhm @ 1A, 8V,

لیست علاقه مندیها
TJ40S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TJ40S04M3L(T6L1,NQ

بخش سهام: 105767

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 40A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9.1 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها
TPN1110ENH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPN1110ENH,L1Q

بخش سهام: 113296

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.2A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 114 mOhm @ 3.6A, 10V,

لیست علاقه مندیها
TPH8R008NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH8R008NH,L1Q

بخش سهام: 104295

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 80V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 34A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 17A, 10V,

لیست علاقه مندیها
TK10S04K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK10S04K3L(T6L1,NQ

بخش سهام: 144152

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 28 mOhm @ 5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
TJ10S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TJ10S04M3L(T6L1,NQ

بخش سهام: 135878

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 44 mOhm @ 5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SSM3K15AMFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K15AMFV,L3F

بخش سهام: 170532

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.6 Ohm @ 10mA, 4V,

لیست علاقه مندیها
TK6P53D(T6RSS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK6P53D(T6RSS-Q)

بخش سهام: 115497

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 525V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.3 Ohm @ 3A, 10V,

لیست علاقه مندیها
TK560P65Y,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK560P65Y,RQ

بخش سهام: 135881

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 560 mOhm @ 3.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
TJ20S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TJ20S04M3L(T6L1,NQ

بخش سهام: 135946

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 22.2 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها
TK30S06K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK30S06K3L(T6L1,NQ

بخش سهام: 128540

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 30A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 18 Ohm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
TK9P65W,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK9P65W,RQ

بخش سهام: 93752

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9.3A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 560 mOhm @ 4.6A, 10V,

لیست علاقه مندیها
TPH1R712MD,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH1R712MD,L1Q

بخش سهام: 128383

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 60A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.7 mOhm @ 30A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
TPH4R606NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH4R606NH,L1Q

بخش سهام: 83323

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 32A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.6 mOhm @ 16A, 10V,

لیست علاقه مندیها
TPCA8056-H,LQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8056-H,LQ(M

بخش سهام: 105511

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 48A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.2 mOhm @ 24A, 10V,

لیست علاقه مندیها
TPH1110FNH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH1110FNH,L1Q

بخش سهام: 95924

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 250V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 112 mOhm @ 5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
TK80S04K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK80S04K3L(T6L1,NQ

بخش سهام: 78949

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 80A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.1 mOhm @ 40A, 10V,

لیست علاقه مندیها
TPH1R005PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH1R005PL,L1Q

بخش سهام: 82892

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 45V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 150A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.04 mOhm @ 50A, 10V,

لیست علاقه مندیها
TPN2010FNH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPN2010FNH,L1Q

بخش سهام: 110042

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 250V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.6A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 198 mOhm @ 2.8A, 10V,

لیست علاقه مندیها
TK8A50D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK8A50D(STA4,Q,M)

بخش سهام: 98335

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 850 mOhm @ 4A, 10V,

لیست علاقه مندیها
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Toshiba Semiconductor and Storage

TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

بخش سهام: 144102

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 104 mOhm @ 4A, 10V,

لیست علاقه مندیها
TPH4R10ANL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH4R10ANL,L1Q

بخش سهام: 7692

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 92A (Ta), 70A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.1 mOhm @ 35A, 10V,

لیست علاقه مندیها
TK6P65W,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK6P65W,RQ

بخش سهام: 129654

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.8A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.05 Ohm @ 2.9A, 10V,

لیست علاقه مندیها
TJ15S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TJ15S06M3L(T6L1,NQ

بخش سهام: 135951

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 15A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 7.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
TK20S04K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK20S04K3L(T6L1,NQ

بخش سهام: 135921

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 14 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها
TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TJ30S06M3L(T6L1,NQ

بخش سهام: 104508

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 30A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 21.8 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها