ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک | محصولات نیمه هادی گسسته | 21

TPC8092,LQ(S

بخش سهام: 100135

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 15A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9 mOhm @ 7.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J36FS,LF

بخش سهام: 126552

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 330mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J35CT,L3F

بخش سهام: 5771

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.2V, 4V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8 Ohm @ 50mA, 4V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K15ACT,L3F

بخش سهام: 154142

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.6 Ohm @ 10mA, 4V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8129,LQ(S

بخش سهام: 141142

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 22 mOhm @ 4.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J56ACT,L3F

بخش سهام: 107046

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.4A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 390 mOhm @ 800mA, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN6R003NL,LQ

بخش سهام: 195389

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 27A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 13.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K324R,LF

بخش سهام: 151670

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 4A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6H19NU,LF

بخش سهام: 184800

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 8V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 185 mOhm @ 1A, 8V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC6111(TE85L,F,M)

بخش سهام: 154704

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.5A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN8R903NL,LQ

بخش سهام: 183096

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8.9 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K2615TU,LF

بخش سهام: 7271

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 3.3V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 300 mOhm @ 1A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K15CT(TPL3)

بخش سهام: 112077

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4 Ohm @ 10mA, 4V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN14006NH,L1Q

بخش سهام: 180682

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 13A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 14 mOhm @ 6.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J207FE,LF

بخش سهام: 104477

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.4A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 251 mOhm @ 650mA, 10V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K56MFV,L3F

بخش سهام: 128522

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 800mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 235 mOhm @ 800mA, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN22006NH,LQ

بخش سهام: 147480

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 22 mOhm @ 4.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN1600ANH,L1Q

بخش سهام: 143024

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 17A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 16 mOhm @ 8.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K345R,LF

بخش سهام: 112097

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 33 mOhm @ 4A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J117TU,LF

بخش سهام: 180597

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 117 mOhm @ 1A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN4R203NC,L1Q

بخش سهام: 167458

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 23A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.2 mOhm @ 11.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها