نوع | شرح |
وضعیت قطعه | Active |
---|---|
نوع FET | N-Channel |
فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) |
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 60V |
جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد | 80A (Ta) |
ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id، Vgs | 5.5 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (حداکثر) @ Id | 3V @ 1mA |
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 85nC @ 10V |
Vgs (حداکثر) | ±20V |
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 4200pF @ 10V |
ویژگی FET | - |
اتلاف انرژی (حداکثر) | 100W (Tc) |
دمای کار | 175°C (TJ) |
نوع نصب | Surface Mount |
بسته دستگاه تأمین کننده | DPAK+ |
بسته بندی / مورد | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
وضعیت RoHS | Rohs سازگار است |
---|---|
سطح حساسیت رطوبت (MSL) | قابل اجرا نیست |
وضعیت چرخه عمر | منسوخ / پایان زندگی |
دسته سهام | ذخیره موجود |