Menu
فارسیفارسی
RFQS / سفارش
0RFQS / سفارش

ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک

  • خانه
  •  
  • ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک
STI100N10F7
STMicroelectronics

STI100N10F7

بخش سهام: 336

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 80A,

لیست علاقه مندیها
STL8P4LLF6
STMicroelectronics

STL8P4LLF6

بخش سهام: 186505

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 20.5 mOhm @ 4A, 10V,

لیست علاقه مندیها
STB30N80K5
STMicroelectronics

STB30N80K5

بخش سهام: 20527

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 800V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 24A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 180 mOhm @ 12A, 10V,

لیست علاقه مندیها
STP200N3LL
STMicroelectronics

STP200N3LL

بخش سهام: 49493

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 120A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.4 mOhm @ 60A, 10V,

لیست علاقه مندیها
STB42N65M5
STMicroelectronics

STB42N65M5

بخش سهام: 10398

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 33A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 79 mOhm @ 16.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
STP15N95K5
STMicroelectronics

STP15N95K5

بخش سهام: 27570

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 950V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 500 mOhm @ 6A, 10V,

لیست علاقه مندیها
STW35N60M2-EP
STMicroelectronics

STW35N60M2-EP

بخش سهام: 279

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V,

لیست علاقه مندیها
STW9N80K5
STMicroelectronics

STW9N80K5

بخش سهام: 41417

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 800V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 900 mOhm @ 3.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
STW70N65M2
STMicroelectronics

STW70N65M2

بخش سهام: 8213

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 63A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 46 mOhm @ 31.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
STE70NM60
STMicroelectronics

STE70NM60

بخش سهام: 2016

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 70A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 30A, 10V,

لیست علاقه مندیها
STW240N10F7
STMicroelectronics

STW240N10F7

بخش سهام: 32920

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 180A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3 mOhm @ 90A, 10V,

لیست علاقه مندیها
STL42P6LLF6
STMicroelectronics

STL42P6LLF6

بخش سهام: 113778

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 42A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 26 mOhm @ 4.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
STP38N65M5
STMicroelectronics

STP38N65M5

بخش سهام: 8367

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 30A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 95 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
STW30N65M5
STMicroelectronics

STW30N65M5

بخش سهام: 7089

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 22A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 139 mOhm @ 11A, 10V,

لیست علاقه مندیها
STL12N60M2
STMicroelectronics

STL12N60M2

بخش سهام: 89690

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 495 mOhm @ 4.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
STW6N95K5
STMicroelectronics

STW6N95K5

بخش سهام: 31352

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 950V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.25 Ohm @ 3A, 10V,

لیست علاقه مندیها
STF20N95K5
STMicroelectronics

STF20N95K5

بخش سهام: 10033

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 950V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 17.5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 330 mOhm @ 9A, 10V,

لیست علاقه مندیها
STL45N10F7AG
STMicroelectronics

STL45N10F7AG

بخش سهام: 320

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 18A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 9A, 10V,

لیست علاقه مندیها
STL36N55M5
STMicroelectronics

STL36N55M5

بخش سهام: 14763

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 550V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 22.5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 16.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
STL33N60DM2
STMicroelectronics

STL33N60DM2

بخش سهام: 24421

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 21A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 140 mOhm @ 10.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
STH175N4F6-2AG
STMicroelectronics

STH175N4F6-2AG

بخش سهام: 75088

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 120A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.4 mOhm @ 60A, 10V,

لیست علاقه مندیها
STL115N10F7AG
STMicroelectronics

STL115N10F7AG

بخش سهام: 336

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 107A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 53A, 10V,

لیست علاقه مندیها
STL16N60M2
STMicroelectronics

STL16N60M2

بخش سهام: 57672

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 355 mOhm @ 4A, 10V,

لیست علاقه مندیها
STH275N8F7-2AG
STMicroelectronics

STH275N8F7-2AG

بخش سهام: 29029

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 80V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 180A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.1 mOhm @ 90A, 10V,

لیست علاقه مندیها
STF5N60M2
STMicroelectronics

STF5N60M2

بخش سهام: 86662

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.7A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.4 Ohm @ 1.85A, 10V,

لیست علاقه مندیها
STL30P3LLH6
STMicroelectronics

STL30P3LLH6

بخش سهام: 158527

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 30A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
STP45N65M5
STMicroelectronics

STP45N65M5

بخش سهام: 9379

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 35A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 78 mOhm @ 19.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
STS10P4LLF6
STMicroelectronics

STS10P4LLF6

بخش سهام: 131391

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 15 mOhm @ 3A, 10V,

لیست علاقه مندیها
STL62P3LLH6
STMicroelectronics

STL62P3LLH6

بخش سهام: 177502

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 62A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10.5 mOhm @ 7A, 10V,

لیست علاقه مندیها
STL260N3LLH6
STMicroelectronics

STL260N3LLH6

بخش سهام: 73415

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 260A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.3 mOhm @ 22.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
STP20NM50
STMicroelectronics

STP20NM50

بخش سهام: 37675

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 250 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها
STF43N60DM2
STMicroelectronics

STF43N60DM2

بخش سهام: 12670

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 34A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 93 mOhm @ 17A, 10V,

لیست علاقه مندیها
STWA40N90K5
STMicroelectronics

STWA40N90K5

بخش سهام: 5223

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 900V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 40A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 99 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها
STP140N8F7
STMicroelectronics

STP140N8F7

بخش سهام: 18255

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 80V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 90A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.3 mOhm @ 45A, 10V,

لیست علاقه مندیها
STP20NM60
STMicroelectronics

STP20NM60

بخش سهام: 11356

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 290 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها
STF25N80K5
STMicroelectronics

STF25N80K5

بخش سهام: 7136

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 800V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 19.5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 260 mOhm @ 19.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها