ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک | محصولات نیمه هادی گسسته | 62

BUZ10

بخش سهام: 8665

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 50V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 23A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 70 mOhm @ 14A, 10V,

لیست علاقه مندیها

STMicroelectronics

STP16N65M2

بخش سهام: 25811

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 11A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 360 mOhm @ 5.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها

STMicroelectronics

STU7NM60N

بخش سهام: 33066

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 900 mOhm @ 2.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها

STMicroelectronics

STFW6N120K3

بخش سهام: 13790

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 1200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.4 Ohm @ 2.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها

STMicroelectronics

STP43N60DM2

بخش سهام: 12154

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 34A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 93 mOhm @ 17A, 10V,

لیست علاقه مندیها

STMicroelectronics

STU2N62K3

بخش سهام: 50169

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 620V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.2A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.6 Ohm @ 1.1A, 10V,

لیست علاقه مندیها

STMicroelectronics

STP4N90K5

بخش سهام: 40973

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 900V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.1 Ohm @ 1A, 10V,

لیست علاقه مندیها

STMicroelectronics

STU4N62K3

بخش سهام: 47899

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 620V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.8A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2 Ohm @ 1.9A, 10V,

لیست علاقه مندیها

STMicroelectronics

STE140NF20D

بخش سهام: 1829

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 140A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 70A, 10V,

لیست علاقه مندیها

STMicroelectronics

STWA40N95K5

بخش سهام: 4970

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 950V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 38A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 130 mOhm @ 19A, 10V,

لیست علاقه مندیها

STMicroelectronics

STP7NK80ZFP

بخش سهام: 27697

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 800V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.2A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.8 Ohm @ 2.6A, 10V,

لیست علاقه مندیها

STMicroelectronics

STI24NM60N

بخش سهام: 15374

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 17A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 190 mOhm @ 8A, 10V,

لیست علاقه مندیها

STMicroelectronics

STF33N60M2

بخش سهام: 12612

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 26A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 125 mOhm @ 13A, 10V,

لیست علاقه مندیها

STMicroelectronics

STU16N65M5

بخش سهام: 15271

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 299 mOhm @ 6A, 10V,

لیست علاقه مندیها

STMicroelectronics

STP16N60M2

بخش سهام: 25450

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 320 mOhm @ 6A, 10V,

لیست علاقه مندیها

STMicroelectronics

STW28N60M2

بخش سهام: 13621

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 24A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 150 mOhm @ 12A, 10V,

لیست علاقه مندیها

STMicroelectronics

STP17NK40Z

بخش سهام: 19734

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 400V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 15A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 250 mOhm @ 7.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها

STMicroelectronics

STW43NM60ND

بخش سهام: 5807

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 35A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 88 mOhm @ 17.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها

STMicroelectronics

STF100N10F7

بخش سهام: 28606

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 45A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 22.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها

STMicroelectronics

STP35N60DM2

بخش سهام: 13633

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 28A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 110 mOhm @ 14A, 10V,

لیست علاقه مندیها

STMicroelectronics

STF24N65M2

بخش سهام: 21555

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 16A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 230 mOhm @ 8A, 10V,

لیست علاقه مندیها

STMicroelectronics

STP7NK80Z

بخش سهام: 25667

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 800V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.2A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.8 Ohm @ 2.6A, 10V,

لیست علاقه مندیها

STMicroelectronics

STP18N65M2

بخش سهام: 31461

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 330 mOhm @ 6A, 10V,

لیست علاقه مندیها

STMicroelectronics

STF130N10F3

بخش سهام: 18542

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 46A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9.6 mOhm @ 23A, 10V,

لیست علاقه مندیها

STMicroelectronics

STF38N65M5

بخش سهام: 8395

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 30A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 95 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها

STMicroelectronics

STP9NK60Z

بخش سهام: 28630

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 950 mOhm @ 3.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها

STMicroelectronics

STP7N95K3

بخش سهام: 13801

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 950V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.2A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.35 Ohm @ 3.6A, 10V,

لیست علاقه مندیها

STMicroelectronics

STU2N95K5

بخش سهام: 46402

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 950V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V,

لیست علاقه مندیها

STMicroelectronics

STW77N65M5

بخش سهام: 3246

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 69A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 38 mOhm @ 34.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها

STMicroelectronics

STP31N65M5

بخش سهام: 10898

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 650V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 22A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 148 mOhm @ 11A, 10V,

لیست علاقه مندیها

STMicroelectronics

STP19NF20

بخش سهام: 79519

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 15A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 160 mOhm @ 7.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها

STMicroelectronics

STF7N95K3

بخش سهام: 19187

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 950V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.2A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.35 Ohm @ 3.6A, 10V,

لیست علاقه مندیها

STMicroelectronics

STP62NS04Z

بخش سهام: 100406

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 33V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 62A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 15 mOhm @ 30A, 10V,

لیست علاقه مندیها

STMicroelectronics

STP9NK90Z

بخش سهام: 45244

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 900V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.3 Ohm @ 3.6A, 10V,

لیست علاقه مندیها

STMicroelectronics

STFU10NK60Z

بخش سهام: 193

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 750 mOhm @ 4.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها

STMicroelectronics

STP12NK30Z

بخش سهام: 34135

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 300V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها