ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - آرایه ها

STS5DNF60L

بخش سهام: 107885

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

STL8DN10LF3

بخش سهام: 83671

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

STS8DN3LLH5

بخش سهام: 113246

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

STL7DN6LF3

بخش سهام: 117469

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 43 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

STL8DN6LF3

بخش سهام: 96103

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

STL40DN3LLH5

بخش سهام: 125168

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 40A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 5.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

STS4DPF20L

بخش سهام: 3125

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

STL20DN10F7

بخش سهام: 63556

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 67 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4.5V @ 250µA,

STL15DN4F5

بخش سهام: 56764

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 60A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 250µA,

STL13DP10F6

بخش سهام: 109384

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 13A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 180 mOhm @ 1.7A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 250µA,

STS10DN3LH5

بخش سهام: 127146

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 21 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

STS5DPF20L

بخش سهام: 89710

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

STL20DNF06LAG

بخش سهام: 155965

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

STL66DN3LLH5

بخش سهام: 78965

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 78.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

STS4DNF60L

بخش سهام: 93425

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

STS5DP3LLH6

بخش سهام: 158516

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 56 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

STS8C5H30L

بخش سهام: 97728

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, 5.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 22 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

STS8DN6LF6AG

بخش سهام: 132133

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

STL36DN6F7

بخش سهام: 192116

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 27 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 250µA,

STL65DN3LLH5

بخش سهام: 88941

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 65A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6.5 mOhm @ 9.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

STS2DNF30L

بخش سهام: 198813

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 110 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

STL40C30H3LL

بخش سهام: 125159

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 40A, 30A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 21 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

STL50DN6F7

بخش سهام: 167699

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 57A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 250µA,

STS3DNE60L

بخش سهام: 2665

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

STS5DNF20V

بخش سهام: 2698

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 600mV @ 250µA,

STS1DN45K3

بخش سهام: 2689

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 450V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 500mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.8 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4.5V @ 50µA,

STC5NF20V

بخش سهام: 3322

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 600mV @ 250µA,

STS2DPF80

بخش سهام: 2631

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 80V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 250µA,

STS3C2F100

بخش سهام: 2685

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 145 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2V @ 250µA,

STL60N32N3LL

بخش سهام: 2652

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 32A, 60A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9.2 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 1µA,

STS1DNF20

بخش سهام: 3271

STS4DNF60

بخش سهام: 2663

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 250µA,

STS9D8NH3LL

بخش سهام: 104832

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, 9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 22 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

STS4C3F60L

بخش سهام: 2668

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4A, 3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

STC6NF30V

بخش سهام: 2911

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 600mV @ 250µA,

STS7C4F30L

بخش سهام: 2694

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7A, 4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 22 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,