ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - آرایه ها

FW274-TL-E

بخش سهام: 3030

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 37 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.6V @ 1mA,

FDC6321C

بخش سهام: 160222

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 680mA, 460mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDG6321C-F169

بخش سهام: 2959

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 500mA (Ta), 410mA (Ta), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1 Ohm @ 410mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTTFS5C471NLTAG

بخش سهام: 297

EFC6602R-TR

بخش سهام: 159385

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

FDPC1002S

بخش سهام: 2951

FDMS7606

بخش سهام: 2977

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 11.5A, 12A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 11.4 mOhm @ 11.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5C446NLT1G

بخش سهام: 6539

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 25A (Ta), 145A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.65 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 90µA,

FDC6306P

بخش سهام: 165018

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.9A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 170 mOhm @ 1.9A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDG6301N-F085P

بخش سهام: 2942

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 220mA (Ta), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDG6332C-F085

بخش سهام: 342

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 700mA, 600mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 300 mOhm @ 700mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDS8984

بخش سهام: 198032

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

FDMC9430L-F085

بخش سهام: 211

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5C466NLT1G

بخش سهام: 9983

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 14A (Ta), 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 30µA,

FDS8958A

بخش سهام: 10836

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7A, 5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

FDD8424H

بخش سهام: 181368

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9A, 6.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

EFC4630R-TR

بخش سهام: 3001

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 24V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.3V @ 1mA,

FDMS3606AS

بخش سهام: 63299

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 13A, 27A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.7V @ 250µA,

FDS6982AS_G

بخش سهام: 2936

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.3A, 8.6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 28 mOhm @ 6.3A, 10V, 13.5 mOhm @ 8.6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA,

ECH8651R-R-TL-HX

بخش سهام: 2970

FDZ1416NZ

بخش سهام: 131465

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Standard, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.3V @ 250µA,

NVMFD5875NLWFT1G

بخش سهام: 147994

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 33 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

NVLJD4007NZTBG

بخش سهام: 108671

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 245mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7 Ohm @ 125mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 100µA,

FDG6304P-F169

بخش سهام: 2990

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 410mA (Ta), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.1 Ohm @ 410mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

ECH8661-TL-H

بخش سهام: 105690

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7A, 5.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 3.5A, 10V,

NTZD3155CT2G

بخش سهام: 199865

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 540mA, 430mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

FDMA1025P

بخش سهام: 151612

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.1A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 155 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDMD85100

بخش سهام: 46969

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10.4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9.9 mOhm @ 10.4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 250µA,

FDMD8530

بخش سهام: 84078

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 35A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.25 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

NTD5C688NLT4G

بخش سهام: 10808

نوع FET: N-Channel, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.5A (Ta), 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 27.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.1V @ 250µA,

NTMD4840NR2G

بخش سهام: 184655

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

FDG8842CZ

بخش سهام: 124470

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 750mA, 410mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 400 mOhm @ 750mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDG8850NZ

بخش سهام: 105054

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 750mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 400 mOhm @ 750mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NVMFD5877NLWFT1G

بخش سهام: 160834

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 39 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMA1027PT

بخش سهام: 2928

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 120 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.3V @ 250µA,

ECH8663R-TL-H

بخش سهام: 143975

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 20.5 mOhm @ 4A, 4.5V,