Menu
فارسیفارسی
RFQS / سفارش
0RFQS / سفارش

ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک

  • خانه
  •  
  • ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک
DMN2004K-7
Diodes Incorporated

DMN2004K-7

بخش سهام: 155745

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 630mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
DMP2160UW-7
Diodes Incorporated

DMP2160UW-7

بخش سهام: 199493

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.5A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
DMG1012T-7
Diodes Incorporated

DMG1012T-7

بخش سهام: 199063

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 630mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
DMN3404L-7
Diodes Incorporated

DMN3404L-7

بخش سهام: 173192

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.8A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 3V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 28 mOhm @ 5.8A, 10V,

لیست علاقه مندیها
ZXMP6A13FTA
Diodes Incorporated

ZXMP6A13FTA

بخش سهام: 115075

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 900mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 400 mOhm @ 900mA, 10V,

لیست علاقه مندیها
DMN2990UFA-7B
Diodes Incorporated

DMN2990UFA-7B

بخش سهام: 183183

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 510mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
DMN63D8LW-13
Diodes Incorporated

DMN63D8LW-13

بخش سهام: 156331

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 380mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.8 Ohm @ 250mA, 10V,

لیست علاقه مندیها
DMP2008UFG-7
Diodes Incorporated

DMP2008UFG-7

بخش سهام: 160456

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 14A (Ta), 54A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 12A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
DMN2300UFB4-7B
Diodes Incorporated

DMN2300UFB4-7B

بخش سهام: 128741

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.3A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 175 mOhm @ 300mA, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
DMN1019UFDE-7
Diodes Incorporated

DMN1019UFDE-7

بخش سهام: 172216

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 11A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
DMN65D8L-7
Diodes Incorporated

DMN65D8L-7

بخش سهام: 181374

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 310mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3 Ohm @ 115mA, 10V,

لیست علاقه مندیها
DMN3065LW-7
Diodes Incorporated

DMN3065LW-7

بخش سهام: 170419

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 52 mOhm @ 4A, 10V,

لیست علاقه مندیها
DMG3420U-7
Diodes Incorporated

DMG3420U-7

بخش سهام: 123813

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 5.47A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 29 mOhm @ 6A, 10V,

لیست علاقه مندیها
DMG2302UK-7
Diodes Incorporated

DMG2302UK-7

بخش سهام: 169896

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.8A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
DMG2307L-7
Diodes Incorporated

DMG2307L-7

بخش سهام: 136538

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.5A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
DMN60H4D5SK3-13
Diodes Incorporated

DMN60H4D5SK3-13

بخش سهام: 129490

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.5 Ohm @ 1A, 10V,

لیست علاقه مندیها