Menu
فارسیفارسی
RFQS / سفارش
0RFQS / سفارش

ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - آرایه ها

APTM120H29FG
Microsemi Corporation

APTM120H29FG

بخش سهام: 261

نوع FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 1200V (1.2kV), جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 34A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 5V @ 5mA,

به لیست دلخواه
APTM10HM05FG
Microsemi Corporation

APTM10HM05FG

بخش سهام: 446

نوع FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 278A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 5mA,

به لیست دلخواه
APTM50H15FT1G
Microsemi Corporation

APTM50H15FT1G

بخش سهام: 2107

نوع FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 25A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 180 mOhm @ 21A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 5V @ 1mA,

به لیست دلخواه
APTMC170AM30CT1AG
Microsemi Corporation

APTMC170AM30CT1AG

بخش سهام: 139

نوع FET: 2 N Channel (Phase Leg), ویژگی FET: Silicon Carbide (SiC), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 1700V (1.7kV), جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.3V @ 5mA (Typ),

به لیست دلخواه
APTM08TAM04PG
Microsemi Corporation

APTM08TAM04PG

بخش سهام: 1065

نوع FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 75V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 120A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.5 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 1mA,

به لیست دلخواه
APTM20HM08FG
Microsemi Corporation

APTM20HM08FG

بخش سهام: 381

نوع FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 208A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 5V @ 5mA,

به لیست دلخواه
APTM20AM05FG
Microsemi Corporation

APTM20AM05FG

بخش سهام: 433

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 317A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 158.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 5V @ 10mA,

به لیست دلخواه
APTM10HM09FT3G
Microsemi Corporation

APTM10HM09FT3G

بخش سهام: 940

نوع FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 139A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 2.5mA,

به لیست دلخواه
APTM10HM19FT3G
Microsemi Corporation

APTM10HM19FT3G

بخش سهام: 1470

نوع FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 70A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 1mA,

به لیست دلخواه
APTC60HM83FT2G
Microsemi Corporation

APTC60HM83FT2G

بخش سهام: 1719

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 36A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 83 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 5V @ 3mA,

به لیست دلخواه
APTC80H15T1G
Microsemi Corporation

APTC80H15T1G

بخش سهام: 1728

نوع FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 800V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 28A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3.9V @ 2mA,

به لیست دلخواه
APTM50AM38SCTG
Microsemi Corporation

APTM50AM38SCTG

بخش سهام: 599

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Silicon Carbide (SiC), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 90A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 5V @ 5mA,

به لیست دلخواه
APTM20HM10FG
Microsemi Corporation

APTM20HM10FG

بخش سهام: 489

نوع FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 175A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 5V @ 5mA,

به لیست دلخواه
APTC60HM45SCTG
Microsemi Corporation

APTC60HM45SCTG

بخش سهام: 743

نوع FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ویژگی FET: Super Junction, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 49A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 22.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3.9V @ 3mA,

به لیست دلخواه
APTC80H15T3G
Microsemi Corporation

APTC80H15T3G

بخش سهام: 1759

نوع FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 800V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 28A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3.9V @ 2mA,

به لیست دلخواه
APTC60HM35T3G
Microsemi Corporation

APTC60HM35T3G

بخش سهام: 248

نوع FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 72A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

به لیست دلخواه
APTM50TAM65FPG
Microsemi Corporation

APTM50TAM65FPG

بخش سهام: 545

نوع FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 51A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 5V @ 2.5mA,

به لیست دلخواه
APTC60TDUM35PG
Microsemi Corporation

APTC60TDUM35PG

بخش سهام: 688

نوع FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 72A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

به لیست دلخواه
APTM10AM05FTG
Microsemi Corporation

APTM10AM05FTG

بخش سهام: 820

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 278A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 5mA,

به لیست دلخواه
APTC60HM70RT3G
Microsemi Corporation

APTC60HM70RT3G

بخش سهام: 1479

نوع FET: 4 N-Channel (H-Bridge) + Bridge Rectifier, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 39A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

به لیست دلخواه
APTC60HM45T1G
Microsemi Corporation

APTC60HM45T1G

بخش سهام: 1300

نوع FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 49A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3.9V @ 3mA,

به لیست دلخواه
APTC80TA15PG
Microsemi Corporation

APTC80TA15PG

بخش سهام: 1022

نوع FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 800V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 28A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3.9V @ 2mA,

به لیست دلخواه
APTC80H29T3G
Microsemi Corporation

APTC80H29T3G

بخش سهام: 2362

نوع FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 800V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 15A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3.9V @ 1mA,

به لیست دلخواه
APTM50HM75SCTG
Microsemi Corporation

APTM50HM75SCTG

بخش سهام: 667

نوع FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ویژگی FET: Silicon Carbide (SiC), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 46A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 5V @ 2.5mA,

به لیست دلخواه
APTMC120AM20CT1AG
Microsemi Corporation

APTMC120AM20CT1AG

بخش سهام: 173

نوع FET: 2 N Channel (Phase Leg), ویژگی FET: Silicon Carbide (SiC), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 1200V (1.2kV), جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 143A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 17 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.3V @ 2mA (Typ),

به لیست دلخواه
APTM120A20DG
Microsemi Corporation

APTM120A20DG

بخش سهام: 538

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 1200V (1.2kV), جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 240 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 5V @ 6mA,

به لیست دلخواه
APTC60AM45T1G
Microsemi Corporation

APTC60AM45T1G

بخش سهام: 293

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 49A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3.9V @ 3mA,

به لیست دلخواه
APTMC120TAM34CT3AG
Microsemi Corporation

APTMC120TAM34CT3AG

بخش سهام: 251

نوع FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), ویژگی FET: Silicon Carbide (SiC), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 1200V (1.2kV), جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 74A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 34 mOhm @ 50A, 20V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 15mA,

به لیست دلخواه
APTM50DDAM65T3G
Microsemi Corporation

APTM50DDAM65T3G

بخش سهام: 1269

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 51A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 5V @ 2.5mA,

به لیست دلخواه
APTC60DDAM24T3G
Microsemi Corporation

APTC60DDAM24T3G

بخش سهام: 1114

نوع FET: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), ویژگی FET: Super Junction, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 95A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3.9V @ 5mA,

به لیست دلخواه
APTM10DSKM19T3G
Microsemi Corporation

APTM10DSKM19T3G

بخش سهام: 1965

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 70A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 4V @ 1mA,

به لیست دلخواه
APTM20AM06SG
Microsemi Corporation

APTM20AM06SG

بخش سهام: 553

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 300A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.2 mOhm @ 150A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 5V @ 6mA,

به لیست دلخواه
APTC60DDAM45T1G
Microsemi Corporation

APTC60DDAM45T1G

بخش سهام: 1722

نوع FET: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), ویژگی FET: Super Junction, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 49A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 3.9V @ 3mA,

به لیست دلخواه
APTM100H18FG
Microsemi Corporation

APTM100H18FG

بخش سهام: 404

نوع FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 1000V (1kV), جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 43A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 210 mOhm @ 21.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 5V @ 5mA,

به لیست دلخواه
APTM100H35FT3G
Microsemi Corporation

APTM100H35FT3G

بخش سهام: 784

نوع FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 1000V (1kV), جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 22A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 5V @ 2.5mA,

به لیست دلخواه
APTM20TAM16FPG
Microsemi Corporation

APTM20TAM16FPG

بخش سهام: 537

نوع FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 104A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 5V @ 2.5mA,

به لیست دلخواه