ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - آرایه ها

AO6808

AO6808

بخش سهام: 128425

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 23 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

به لیست دلخواه
AON6810

AON6810

بخش سهام: 195

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 25A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.4 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 250µA,

به لیست دلخواه
AOC2870

AOC2870

بخش سهام: 192

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Standard, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.3V @ 250µA,

به لیست دلخواه
AOE6932

AOE6932

بخش سهام: 253

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 55A (Tc), 85A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V, 1.4 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 250µA, 1.9V @ 250µA,

به لیست دلخواه
AON6906A

AON6906A

بخش سهام: 141209

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9.1A, 10A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 14.4 mOhm @ 9.1A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 250µA,

به لیست دلخواه
AON6992

AON6992

بخش سهام: 167444

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 19A, 31A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 250µA,

به لیست دلخواه
AO7800

AO7800

بخش سهام: 101225

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 900mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 300 mOhm @ 900mA, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 900mV @ 250µA,

به لیست دلخواه
AON6934A

AON6934A

بخش سهام: 192175

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 22A, 30A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 250µA,

به لیست دلخواه
AON5816

AON5816

بخش سهام: 242

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12A (Ta), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6.5 mOhm @ 12A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.3V @ 250µA,

به لیست دلخواه
AON3820

AON3820

بخش سهام: 237

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 24V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8.9 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.3V @ 250µA,

به لیست دلخواه
AON6926

AON6926

بخش سهام: 176157

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 11A, 12A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

به لیست دلخواه
AO4616

AO4616

بخش سهام: 137081

نوع FET: N and P-Channel, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, 7A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 250µA,

به لیست دلخواه
AOSD62666E

AOSD62666E

بخش سهام: 234

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 14.5 mOhm @ 9.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 250µA,

به لیست دلخواه
AO4892

AO4892

بخش سهام: 184805

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 68 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.8V @ 250µA,

به لیست دلخواه
AO4832

AO4832

بخش سهام: 146127

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

به لیست دلخواه
AOD607A

AOD607A

بخش سهام: 189762

نوع FET: N and P-Channel Complementary, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A (Tc), 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 8A, 10V, 27 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.6V @ 250µA, 2.4V @ 250µA,

به لیست دلخواه
AO9926C

AO9926C

بخش سهام: 121665

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 23 mOhm @ 7.6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.1V @ 250µA,

به لیست دلخواه
AO4854

AO4854

بخش سهام: 178118

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.4V @ 250µA,

به لیست دلخواه
AOE6930

AOE6930

بخش سهام: 215

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 22A (Tc), 85A (Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.3 mOhm @ 20A, 10V, 0.83 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA,

به لیست دلخواه
AO6608

AO6608

بخش سهام: 153844

نوع FET: N and P-Channel Complementary, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.4A (Ta), 3.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 10V, 75 mOhm @ 3.3A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA, 1V @ 250µA,

به لیست دلخواه
AON6994

AON6994

بخش سهام: 185070

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 19A, 26A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 250µA,

به لیست دلخواه
AON6912A

AON6912A

بخش سهام: 191296

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A, 13.8A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 13.7 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

به لیست دلخواه
AO8808A

AO8808A

بخش سهام: 192801

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 14 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

به لیست دلخواه
AON2810

AON2810

بخش سهام: 115713

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 44 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.4V @ 250µA,

به لیست دلخواه
AO6802

AO6802

بخش سهام: 113666

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.5A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.5V @ 250µA,

به لیست دلخواه
AON5820

AON5820

بخش سهام: 177428

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9.5 mOhm @ 10A, 4.5V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1V @ 250µA,

به لیست دلخواه
AON6934

AON6934

بخش سهام: 185097

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 22A, 30A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.2V @ 250µA,

به لیست دلخواه
AO4884

AO4884

بخش سهام: 124312

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 2.7V @ 250µA,

به لیست دلخواه
AO9926B

AO9926B

بخش سهام: 120793

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.6A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 23 mOhm @ 7.6A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.1V @ 250µA,

به لیست دلخواه
AO6601

AO6601

بخش سهام: 110328

نوع FET: N and P-Channel Complementary, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.4A, 2.3A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 1.5V @ 250µA,

به لیست دلخواه
ALD212900APAL

ALD212900APAL

بخش سهام: 19683

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, ویژگی FET: Logic Level Gate, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 10.6V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 80mA, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 14 Ohm, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 10mV @ 20µA,

به لیست دلخواه
ALD110800PCL

ALD110800PCL

بخش سهام: 22645

نوع FET: 4 N-Channel, Matched Pair, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 10.6V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 500 Ohm @ 4V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 20mV @ 1µA,

به لیست دلخواه
ALD110800ASCL

ALD110800ASCL

بخش سهام: 15215

نوع FET: 4 N-Channel, Matched Pair, ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 10.6V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 500 Ohm @ 4V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 10mV @ 1µA,

به لیست دلخواه
APTM100H45SCTG

APTM100H45SCTG

بخش سهام: 480

نوع FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 1000V (1kV), جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 18A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 540 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 5V @ 2.5mA,

به لیست دلخواه
APTM100A13SCG

APTM100A13SCG

بخش سهام: 292

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Standard, تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 1000V (1kV), جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 65A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 156 mOhm @ 32.5A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 5V @ 6mA,

به لیست دلخواه
APTM50AM24SCG

APTM50AM24SCG

بخش سهام: 372

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ویژگی FET: Silicon Carbide (SiC), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 500V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 150A, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 28 mOhm @ 75A, 10V, Vgs (th) (حداکثر) @ Id: 5V @ 6mA,

به لیست دلخواه