نوع | شرح |
وضعیت قطعه | Active |
---|---|
نوع FET | 2 N Channel (Phase Leg) |
ویژگی FET | Silicon Carbide (SiC) |
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 1700V (1.7kV) |
جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد | 100A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id، Vgs | 30 mOhm @ 100A, 20V |
Vgs (th) (حداکثر) @ Id | 2.3V @ 5mA (Typ) |
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 380nC @ 20V |
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 6160pF @ 1000V |
قدرت - حداکثر | 700W |
دمای کار | -40°C ~ 150°C (TJ) |
نوع نصب | Chassis Mount |
بسته بندی / مورد | SP1 |
بسته دستگاه تأمین کننده | SP1 |
وضعیت RoHS | Rohs سازگار است |
---|---|
سطح حساسیت رطوبت (MSL) | قابل اجرا نیست |
وضعیت چرخه عمر | منسوخ / پایان زندگی |
دسته سهام | ذخیره موجود |