Menu
فارسیفارسی
RFQS / سفارش
0RFQS / سفارش

ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک

  • خانه
  •  
  • ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک
SISS40DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS40DN-T1-GE3

بخش سهام: 132140

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 36.5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 21 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIS892ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS892ADN-T1-GE3

بخش سهام: 153441

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 28A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 33 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SQS462EN-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQS462EN-T1_GE3

بخش سهام: 176128

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 63 mOhm @ 4.3A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI2309CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI2309CDS-T1-GE3

بخش سهام: 133640

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.6A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 345 mOhm @ 1.25A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIR632DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR632DP-T1-RE3

بخش سهام: 46133

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 150V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 29A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 34.5 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SUD50N04-8M8P-4GE3
Vishay Siliconix

SUD50N04-8M8P-4GE3

بخش سهام: 180869

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 14A (Ta), 50A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8.8 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SQJ444EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ444EP-T1_GE3

بخش سهام: 136708

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 60A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.2 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI3483CDV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3483CDV-T1-E3

بخش سهام: 163997

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 34 mOhm @ 6.1A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI4116DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4116DY-T1-E3

بخش سهام: 132173

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 18A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8.6 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SISS70DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS70DN-T1-GE3

بخش سهام: 7742

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 125V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8.5A (Ta), 31A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 29.8 mOhm @ 8.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SQJ431AEP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ431AEP-T1_GE3

بخش سهام: 7752

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9.4A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 305 mOhm @ 3.8A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI4168DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4168DY-T1-GE3

بخش سهام: 139862

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 24A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.7 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIS476DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS476DN-T1-GE3

بخش سهام: 139920

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 40A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.5 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI2312BDS-T1-E3
Vishay Siliconix

SI2312BDS-T1-E3

بخش سهام: 129611

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.9A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 31 mOhm @ 5A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
SIJ478DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIJ478DP-T1-GE3

بخش سهام: 100614

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 80V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 60A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SQS401ENW-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQS401ENW-T1_GE3

بخش سهام: 7505

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 16A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 29 mOhm @ 12A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI8816EDB-T2-E1
Vishay Siliconix

SI8816EDB-T2-E1

بخش سهام: 154242

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 109 mOhm @ 1A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIR414DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR414DP-T1-GE3

بخش سهام: 93996

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.8 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SQ4080EY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4080EY-T1_GE3

بخش سهام: 136730

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 150V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 18A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 85 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIHU7N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHU7N60E-GE3

بخش سهام: 83621

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI3430DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3430DV-T1-GE3

بخش سهام: 180804

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.8A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 170 mOhm @ 2.4A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SQ4435EY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4435EY-T1_GE3

بخش سهام: 7729

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 15A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 8A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SQ4410EY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4410EY-T1_GE3

بخش سهام: 118930

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 15A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SQJ858EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ858EP-T1_GE3

بخش سهام: 7678

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 75A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 11A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIR820DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR820DP-T1-GE3

بخش سهام: 7711

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 40A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SQD100N02-3M5L_GE3
Vishay Siliconix

SQD100N02-3M5L_GE3

بخش سهام: 7693

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.5 mOhm @ 30A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SQJA94EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJA94EP-T1_GE3

بخش سهام: 165168

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 80V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 46A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI3430DV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3430DV-T1-E3

بخش سهام: 180858

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 1.8A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 170 mOhm @ 2.4A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIHD2N80E-GE3
Vishay Siliconix

SIHD2N80E-GE3

بخش سهام: 7705

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 800V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.8A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.75 Ohm @ 1A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIJ462DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIJ462DP-T1-GE3

بخش سهام: 115885

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 46.5A(Tc), Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SQJ840EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ840EP-T1_GE3

بخش سهام: 101267

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 30A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9.3 mOhm @ 10.3A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SQ4153EY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4153EY-T1_GE3

بخش سهام: 7793

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 25A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 8.32 mOhm @ 14A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
SI4630DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4630DY-T1-GE3

بخش سهام: 99320

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 25V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 40A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.7 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIRA58ADP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIRA58ADP-T1-RE3

بخش سهام: 7640

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 32.3A (Ta), 109A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.65 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI7686DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7686DP-T1-GE3

بخش سهام: 96713

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 35A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9.5 mOhm @ 13.8A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SQJ464EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ464EP-T1_GE3

بخش سهام: 5838

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 32A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 17 mOhm @ 7.1A, 10V,

لیست علاقه مندیها