Menu
فارسیفارسی
RFQS / سفارش
0RFQS / سفارش

ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک

  • خانه
  •  
  • ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک
SIE822DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE822DF-T1-GE3

بخش سهام: 51914

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.4 mOhm @ 18.3A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI4124DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4124DY-T1-GE3

بخش سهام: 73658

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20.5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.5 mOhm @ 14A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI7190ADP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SI7190ADP-T1-RE3

بخش سهام: 5803

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 250V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.3A (Ta), 14.4A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 102 mOhm @ 4.3A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SQD40P10-40L_GE3
Vishay Siliconix

SQD40P10-40L_GE3

بخش سهام: 60955

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 38A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 8.2A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI3410DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3410DV-T1-GE3

بخش سهام: 156571

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 19.5 mOhm @ 5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI7336ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7336ADP-T1-GE3

بخش سهام: 110398

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 30A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3 mOhm @ 25A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIR804DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR804DP-T1-GE3

بخش سهام: 53636

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 60A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.2 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI7110DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7110DN-T1-GE3

بخش سهام: 70542

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 13.5A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.3 mOhm @ 21.1A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SQP60N06-15_GE3
Vishay Siliconix

SQP60N06-15_GE3

بخش سهام: 7998

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 56A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 15 mOhm @ 30A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SQD50N04-4M5L_GE3
Vishay Siliconix

SQD50N04-4M5L_GE3

بخش سهام: 8005

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIHA2N80E-GE3
Vishay Siliconix

SIHA2N80E-GE3

بخش سهام: 7877

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 800V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.8A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.75 Ohm @ 1A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIHJ240N60E-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIHJ240N60E-T1-GE3

بخش سهام: 8086

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 240 mOhm @ 5.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SQD50P04-09L_GE3
Vishay Siliconix

SQD50P04-09L_GE3

بخش سهام: 51976

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9.4 mOhm @ 17A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SQM40N10-30_GE3
Vishay Siliconix

SQM40N10-30_GE3

بخش سهام: 63899

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 40A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIS443DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS443DN-T1-GE3

بخش سهام: 103467

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 35A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 11.7 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIR640ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR640ADP-T1-GE3

بخش سهام: 79620

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 41.6A (Ta), 100A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIHH11N60E-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIHH11N60E-T1-GE3

بخش سهام: 44430

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 600V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 11A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 339 mOhm @ 5.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIJ420DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIJ420DP-T1-GE3

بخش سهام: 80903

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.6 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
TN2404K-T1-E3
Vishay Siliconix

TN2404K-T1-E3

بخش سهام: 154551

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 240V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 200mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4 Ohm @ 300mA, 10V,

لیست علاقه مندیها
SQR40N10-25_GE3
Vishay Siliconix

SQR40N10-25_GE3

بخش سهام: 70517

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 40A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 40A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI5457DC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5457DC-T1-GE3

بخش سهام: 181431

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 36 mOhm @ 4.9A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
SQM40010EL_GE3
Vishay Siliconix

SQM40010EL_GE3

بخش سهام: 44193

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 120A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.6 mOhm @ 30A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SQD50P06-15L_GE3
Vishay Siliconix

SQD50P06-15L_GE3

بخش سهام: 51969

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 15.5 mOhm @ 17A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI4124DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4124DY-T1-E3

بخش سهام: 73664

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20.5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 7.5 mOhm @ 14A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SQD50P08-28_GE3
Vishay Siliconix

SQD50P08-28_GE3

بخش سهام: 7970

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 80V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 48A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 28 mOhm @ 12.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SQ2362ES-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ2362ES-T1_GE3

بخش سهام: 123435

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.3A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 95 mOhm @ 4.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SUM60N10-17-E3
Vishay Siliconix

SUM60N10-17-E3

بخش سهام: 54289

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 60A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 16.5 mOhm @ 30A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI4368DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4368DY-T1-E3

بخش سهام: 80738

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 17A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SQJQ100EL-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJQ100EL-T1_GE3

بخش سهام: 54810

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 200A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.2 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SQ2310ES-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ2310ES-T1_GE3

بخش سهام: 108359

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 5A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها
SQM40022E_GE3
Vishay Siliconix

SQM40022E_GE3

بخش سهام: 7937

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 150A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.63 mOhm @ 35A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SUM90220E-GE3
Vishay Siliconix

SUM90220E-GE3

بخش سهام: 24530

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 200V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 64A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 21.6 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SI4425DDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4425DDY-T1-GE3

بخش سهام: 199634

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 19.7A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9.8 mOhm @ 13A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SQM70060EL_GE3
Vishay Siliconix

SQM70060EL_GE3

بخش سهام: 59019

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 75A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.9 mOhm @ 30A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SQP100N04-3M6_GE3
Vishay Siliconix

SQP100N04-3M6_GE3

بخش سهام: 5795

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 100A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.6 mOhm @ 30A, 10V,

لیست علاقه مندیها
SIR826ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR826ADP-T1-GE3

بخش سهام: 60175

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 80V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 60A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها