ترانزیستورها - FET ها ، ماسفت ها - تک | محصولات نیمه هادی گسسته | 100

SI7668ADP-T1-E3

بخش سهام: 1097

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 40A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3 mOhm @ 25A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SI1305EDL-T1-GE3

بخش سهام: 1068

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 8V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 860mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 280 mOhm @ 1A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SI4892DY-T1-GE3

بخش سهام: 6159

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8.8A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 12.4A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SUP50N03-5M1P-GE3

بخش سهام: 1048

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.1 mOhm @ 22A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SI2321DS-T1-GE3

بخش سهام: 1000

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.9A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 57 mOhm @ 3.3A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SIE806DF-T1-GE3

بخش سهام: 1144

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 60A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 1.7 mOhm @ 25A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SUD50N04-16P-E3

بخش سهام: 1087

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 9.8A (Ta), 20A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 16 mOhm @ 15A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SUM90N06-5M5P-E3

بخش سهام: 1084

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 60V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 90A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SUD25N04-25-E3

بخش سهام: 1138

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 25A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 25A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SI4684DY-T1-E3

بخش سهام: 5626

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 16A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9.4 mOhm @ 16A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SI1473DH-T1-GE3

بخش سهام: 189304

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 2.7A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 2A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SI6467BDQ-T1-GE3

بخش سهام: 982

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 6.8A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12.5 mOhm @ 8A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SI8467DB-T2-E1

بخش سهام: 978

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 73 mOhm @ 1A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SUP65P04-15-E3

بخش سهام: 1132

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 40V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 65A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 15 mOhm @ 30A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SI1037X-T1-E3

بخش سهام: 1034

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 770mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 195 mOhm @ 770mA, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SI8405DB-T1-E3

بخش سهام: 1092

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.6A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 1A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SI2331DS-T1-E3

بخش سهام: 1016

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3.2A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 48 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SI7682DP-T1-E3

بخش سهام: 1095

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 20A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 9 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SUD50P08-26-E3

بخش سهام: 1151

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 80V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 50A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 26 mOhm @ 12.9A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SI8451DB-T2-E1

بخش سهام: 1016

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 10.8A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 1A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SI4646DY-T1-GE3

بخش سهام: 1077

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 12A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 11.5 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SI4472DY-T1-GE3

بخش سهام: 58907

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 150V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.7A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 5A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SI7457DP-T1-E3

بخش سهام: 1075

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 100V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 28A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 42 mOhm @ 7.9A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SI3424BDV-T1-E3

بخش سهام: 1074

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SI4890BDY-T1-E3

بخش سهام: 125213

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 16A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 10A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SI2311DS-T1-E3

بخش سهام: 1063

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 8V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 3A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SI4876DY-T1-GE3

بخش سهام: 1057

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 14A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 21A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SI3442CDV-T1-GE3

بخش سهام: 143589

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 8A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 27 mOhm @ 6.5A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SI7100DN-T1-GE3

بخش سهام: 1065

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 8V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 35A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 3.5 mOhm @ 15A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SUP45N03-13L-E3

بخش سهام: 1122

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 45A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 13 mOhm @ 45A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SI2334DS-T1-GE3

بخش سهام: 120637

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 4.9A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 44 mOhm @ 4.2A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SUM110P08-11-E3

بخش سهام: 1107

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 80V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 110A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 11.1 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SI6443DQ-T1-E3

بخش سهام: 1034

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 7.3A (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 8.8A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SI4158DY-T1-GE3

بخش سهام: 101225

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 20V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 36.5A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 2.5 mOhm @ 20A, 10V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SI1307EDL-T1-GE3

بخش سهام: 950

نوع FET: P-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 12V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 850mA (Ta), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 290 mOhm @ 1A, 4.5V,

لیست علاقه مندیها

Vishay Siliconix

SI4362BDY-T1-E3

بخش سهام: 1017

نوع FET: N-Channel, فن آوری: MOSFET (Metal Oxide), تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 30V, جریان - تخلیه مداوم (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد: 29A (Tc), ولتاژ درایو (حداکثر RDS روشن ، حداقل RDS روشن): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id، Vgs: 4.6 mOhm @ 19.8A, 10V,

لیست علاقه مندیها